[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201880091225.9 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN111886927A 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 岸本克彦 申请(专利权)人: 堺显示器制品株式会社
主分类号: H05B33/04 分类号: H05B33/04;G09F9/30;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/10
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 叶乙梅
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机 el 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机EL显示装置,其具有多个像素,其特征在于,

所述有机EL显示装置具有基板、元件基板以及薄膜密封结构,

所述元件基板具有由所述基板支承的多个有机EL元件,所述薄膜密封结构覆盖所述多个有机EL元件,

所述薄膜密封结构具有第一无机势垒层、形成于所述第一无机势垒层上的有机势垒层以及形成于所述有机势垒层上的第二无机势垒层,

所述有机势垒层的与所述第二无机势垒层接触的第一表面具有多个细微的第一凸部,所述第一表面的粗糙度的最大高度Rz1为20nm以上且小于100nm。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第二无机势垒层的厚度是所述有机势垒层的所述第一表面的粗糙度的最大高度Rz1的5倍以上。

3.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第二无机势垒层所具有的第二表面具有多个细微的第二凸部,所述第二表面的粗糙度的最大高度Rz2为20nm以上且小于100nm。

4.如权利要求3所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第二无机势垒层的厚度在200nm以上且1500nm以下,所述第二表面的粗糙度的最大高度Rz2的5倍以上。

5.如权利要求1至4中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述元件基板还具有规定所述多个像素中的每一个的堤层,

所述有机势垒层覆盖所述堤层,且具有3μm以上且20μm以下的厚度。

6.如权利要求1至4中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述元件基板还具有规定所述多个像素中的每一个的堤层,

所述堤层具有包围所述多个像素的每一个的周围的斜面,

所述有机势垒层具有离散地分布的多个实心部,

所述多个实心部具有从所述第一无机势垒层的所述斜面上的部分到所述像素内的周边的像素周边实心部,

所述像素周边实心部的与所述第二无机势垒层接触的表面为第一表面,所述第一表面的粗糙度的最大高度Rz1为20nm以上且小于100nm。

7.如权利要求6所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述有机势垒层的厚度在50nm以上且小于200nm。

8.如权利要求1至7中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第一无机势垒层的与所述有机势垒层接触的第三表面具有多个细微的第三凸部,所述第三表面的粗糙度的最大高度Rz3为20nm以上且小于100nm。

9.如权利要求8所述的有机EL显示装置,其特征在于,

构成所述有机势垒层的树脂材料填充在所述多个细微的第三凸部的间隙中。

10.如权利要求8或9所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述有机势垒层的厚度比所述第一无机势垒层的所述第三表面的粗糙度的最大高度Rz3大。

11.如权利要求1至10中任一项所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第一无机势垒层和所述第二无机势垒层分别独立地包括SiN层或SiON层。

12.如权利要求11所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第一无机势垒层和所述第二无机势垒层仅由SiN层和/或SiON层形成。

13.如权利要求11或12所述的有机EL显示装置,其特征在于,

所述第一无机势垒层和所述第二无机势垒层分别独立地包括折射率在1.70以上且1.90以下的SiON层。

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