[发明专利]半导体装置的制造方法及膜状粘接剂在审
| 申请号： | 201880090862.4 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111819672A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 中村祐树;大久保惠介;彼谷美千子;山中大辅;矢羽田达也 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L21/52;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;C09J7/10;C09J7/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 膜状粘接剂 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其具备以下工序：
介由第一导线将第一半导体元件电连接于基板上的第一引线接合工序；
介由具有热固化性的粘接剂将第二半导体元件压接在所述基板上的压接工序；以及
通过在加压气氛下加热所述压接工序后的粘接剂、将所述粘接剂进行固化处理的加热加压工序，
所述固化处理前的粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s，并且经过所述加热加压工序，将所述第一导线的至少一部分及所述第一半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的粘接剂中。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述加热加压工序中，在0.1～1.0MPa的加压气氛下、60～175℃下将所述粘接剂加热5分钟以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在所述加热加压工序后具备在所述第二半导体元件上进一步层叠第三半导体元件的工序。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其进一步具备：
介由第二导线将所述基板与所述第二半导体元件电连接的第二引线接合工序；和
用树脂将所述第二半导体元件密封的工序。
5.一种膜状粘接剂，其为在半导体装置的制造工艺中使用的粘接剂，
所述制造工艺包含以下工序：经过在加压气氛下加热所述粘接剂的固化处理，形成将基板上的导线的至少一部分及半导体元件中的至少一者埋入到固化处理后的所述粘接剂中的状态，
所述膜状粘接剂的120℃下的熔融粘度为1000～3000Pa·s。
6.根据权利要求5所述的粘接剂，其与涂布有阻焊剂油墨的所述基板的固化后的粘接力为1.0MPa以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
