[发明专利]激光腔、密封部件的制造方法和电子器件的制造方法有效
申请号: | 201880090669.0 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN111801854B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 三木正晴 | 申请(专利权)人: | 极光先进雷射株式会社 |
主分类号: | H01S3/02 | 分类号: | H01S3/02;H01S3/225 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于英慧;崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 密封 部件 制造 方法 电子器件 | ||
准分子激光装置的激光腔具有:容器,其包含第1部件和第2部件,在内部收纳激光气体;以及密封部件,其被配置于所述第1部件与所述第2部件的对置的2个密封面之间,所述密封部件的激光气体侧的表面由氟橡胶构成,所述密封部件的大气侧的表面由抑制大气透过的膜构成。
技术领域
本公开涉及激光腔、密封部件的制造方法和电子器件的制造方法。
背景技术
随着半导体集成电路的微细化和高集成化,在半导体曝光装置中要求分辨率的提高。下面,将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此,从曝光用光源输出的光的短波长化得以发展。在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。当前,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。
作为当前的曝光技术,如下的液浸曝光已经实用化:利用液体充满曝光装置侧的投影透镜与晶片之间的间隙,通过改变该间隙的折射率,使曝光用光源的外观的波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源进行液浸曝光的情况下,对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称为ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称为ArF液浸光刻。
KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的谱线宽度较宽,大约为350~400pm,因此,通过曝光装置侧的投影透镜缩小地投影到晶片上的激光(紫外线光)产生色差,分辨率降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化到能够无视色差的程度。谱线宽度也被称为谱宽度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带化元件的窄带化模块(Line Narrow Module),通过该窄带化模块实现谱宽度的窄带化。另外,窄带化元件也可以是标准具或光栅等。将这种谱宽度被窄带化的激光装置称为窄带化激光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平10-256625号公报
发明内容
本公开的1个观点的准分子激光装置的激光腔具有:容器,其包含第1部件和第2部件,在内部收纳激光气体;以及密封部件,其被配置于第1部件与第2部件的对置的2个密封面之间,密封部件的激光气体侧的表面由氟橡胶构成,密封部件的大气侧的表面由抑制大气透过的膜构成。
本公开的1个观点的密封部件的制造方法是在表面的一部分具有膜的环状的密封部件的制造方法,其中,该制造方法包含以下工序:第1工序,将构成密封部件的环状部件嵌在第1夹具的外周;第2工序,利用第2夹具和第3夹具夹着环状部件,以成为环状部件的外周面在第2夹具与第3夹具之间露出的状态,该第2夹具被配置于第1夹具的外周,该第3夹具被配置于第1夹具的外周,通过沿第1夹具的轴向移动,能够变更与第2夹具之间的间隔;以及第3工序,在密封部件的外周面在第2夹具与第3夹具之间露出的状态下,在环状部件的外周面形成膜。
本公开的1个观点的电子器件的制造方法包含以下工序:通过包含激光腔的准分子激光装置生成激光,将激光输出到曝光装置,在曝光装置内在感光基板上曝光激光,以制造电子器件,其中,激光腔具有:容器,其包含第1部件和第2部件,在内部收纳激光气体;以及密封部件,其被配置于第1部件与第2部件的对置的2个密封面之间,密封部件的激光气体侧的表面由氟橡胶构成,密封部件的大气侧的表面由抑制大气透过的膜构成。
附图说明
下面,参照附图将本公开的若干个实施方式作为简单例子进行说明。
图1A示意地示出比较例的准分子激光装置的结构。
图1B示意地示出比较例的准分子激光装置的结构。
图2是示出比较例中的使用密封部件的密封机构的结构例的剖视图。
图3是放大了图2所示的密封构造的一部分的剖视图。
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