[发明专利]OLED微腔设计与优化方法在审
申请号: | 201880090634.7 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN112514102A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | J·坎贝尔;程嘉琦;J·佩克汉姆 | 申请(专利权)人: | 阿瓦龙全息照相技术股份公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L33/10;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 余姚德盛专利代理事务所(普通合伙) 33239 | 代理人: | 周积德 |
地址: | 加拿大纽芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 设计 优化 方法 | ||
1.微腔OLED,包括:
具有底部反射层和分布式布拉格反射器(DBR)顶层的堆叠层结构,所述底部反射层和DBR顶层配置为创建微腔,该微腔包括堆叠在阴极层和阳极层之间以形成顶部发射OLED的一系列一个或多个有机层,以及邻接所述DBR的任选填充剂层;
其中,所述DBR顶层配置为与经调谐以发射与给定颜色相对应的光的波长的顶部发射OLED一起使用,包括交替电介质材料的子层,每个子层的厚度提供的光程长度等于布拉格波长的四分之一。
2.根据权利要求1所述的微腔OLED,其中,布拉格波长不等于所述OLED经调谐以发射的光的波长。
3.根据权利要求1所述的微腔OLED,其中,所述DBR由六到十二个交替电介质材料的子层组成。
4.根据权利要求3所述的微腔OLED,其中,所述DBR由三对交替的电介质材料组成。
5.根据权利要求1所述的微腔OLED,其中,所述交替电介质材料的子层由二氧化钛和二氧化硅制成。
6.根据权利要求5所述的微腔OLED,其中,所述DBR由三对交替的二氧化钛和二氧化硅子层组成,具有500nm的布拉格波长,并且其中,每个二氧化钛子层约50nm厚,并且每个二氧化硅子层约86nm厚。
7.根据权利要求1所述的微腔OLED,其中,所述OLED发出红色、绿色或蓝色的光。
8.获得制造规格并制造特定的微腔OLED的方法,该OLED包括阴极和阳极,有机层设置在阴极和阳极之间,任选的填充剂层和分布式布拉格反射器(DBR),其中该方法包括以下步骤:
i.对于给定的一组微腔OLED发射特性,计算阴极和DBR的光程长度和镜面反射率近似值;
ii.应用FDTD仿真,以使用光程长度和镜面反射率近似值确定微腔OLED波长所需的镜穿透深度;
iii.应用FDTD仿真以对一个或多个材料层进行参数化以用于在反射层之间形成微腔层;以及
iv.使用FDTD仿真的结果来参数化一个或多个材料层,以确定一个或多个材料层的最佳厚度,从而提供微腔OLED的制造规格。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述一个或多个材料层是有机层。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述一个或多个材料层是阳极层。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述一个或多个材料层是填充剂层。
12.根据权利要求8所述的方法,其中,应用FDTD仿真以对一个或多个材料层进行参数化的步骤是基于粒子群优化协议的。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,使用传输矩阵协议来完成所述DBR的镜面反射率的计算。
14.根据权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:制造指定的微腔OLED。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述指定的微腔OLED包括被配置为与被调谐以发射与给定颜色相对应的光的波长的OLED一起使用的DBR,所述DBR包括交替电介质材料的子层,并且每个子层的厚度提供的光程长度等于布拉格波长的四分之一。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述OLED是顶部发射的。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述OLED发射红色、绿色或蓝色的光。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述DBR由三对交替的二氧化钛和二氧化硅子层组成,具有500nm的布拉格波长,并且其中每个二氧化钛子层约50nm厚并且每个二氧化硅子层约86nm厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择