[发明专利]支持多载波操作的低噪声放大器在审
申请号: | 201880090477.X | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN112042116A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | M·阿拉姆;陈逸文;R·费尔南德斯;杨东军 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H03F3/193 | 分类号: | H03F3/193;H03F1/26 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李兴斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支持 载波 操作 低噪声放大器 | ||
1.一种用于无线通信网络中的载波聚合(CA)操作的射频(RF)放大器电路,所述RF放大器电路包括:
输入节点;
能够操作地耦合到所述输入节点的第一放大器子电路,以及能够操作地耦合到所述输入节点的第二放大器子电路,所述第一放大器子电路用于放大第一RF载波以产生第一输出,并且所述第二放大器子电路用于放大第二RF载波以产生第二输出,其中所述第一RF载波和所述第二RF载波将被同时接收;
放大器子电路选择器,所述放大器子电路选择器用于响应于选择指示而选择性地启用所述第一放大器子电路、所述第二放大器子电路、或者所述第一放大器子电路和所述第二放大器子电路一起的操作;以及
电抗性耦合网络,所述电抗性耦合网络被布置成响应于所述选择指示而选择性地调整所述输入节点处的输入阻抗以减小输入阻抗变化。
2.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述第一放大器子电路和所述第二放大器子电路的各种启用配置与所述输入节点处的输入阻抗变化相关联。
3.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述第一RF载波和所述第二RF载波在所述无线通信网络内的限定的频带之中。
4.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述第一放大器子电路和所述第二放大器子电路各自是低噪声放大器(LNA)。
5.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述电抗性耦合网络包括控制信号输入以接收对应于期望输入阻抗的调整信号,其中所述期望输入阻抗基于所述选择指示。
6.根据权利要求5所述的RF放大器电路,还包括:
控制器子电路,所述控制子电路用于产生:
包括所述选择指示的选择控制信号;
以及
所述调整信号。
7.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述电抗性耦合网络包括控制信号输入,以接收对应于将被选择性地启用的放大器子电路的数量的调整信号。
8.根据权利要求7所述的RF放大器电路,其中所述调整信号还对应于所述第一RF载波和所述第二RF载波的特定频率集合。
9.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述输入节点耦合到具有源阻抗的输入源,并且其中所述输入阻抗变化引起由所述输入源所经历的回波损耗的变化;并且
其中所述电抗性耦合网络通过将输入阻抗与所述源阻抗匹配来减少所述回波损耗。
10.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述第一RF载波是具有第一多个子载波的第一分量载波,并且所述第二RF载波是具有第二多个子载波的分量载波。
11.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述第一放大器子电路和所述第二放大器子电路被配置为在1.8GHz至2.7GHz的频率范围内操作。
12.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述
第一放大器子电路和所述第二放大器子电路包括互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。
13.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述电抗性耦合网络包括可变电容。
14.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述电抗性耦合网络被配置为产生可变的时间常数。
15.根据权利要求1所述的RF放大器电路,其中所述电抗性耦合网络包括以分流配置耦合到所述输入节点的可变电阻器-电容器组合。
16.根据权利要求13所述的RF放大器电路,其中所述可变电阻器-电容器组合包括可变电阻器。
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