[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺

权利要求书

1.一种制造具有改性的表面孔隙率的经活化的石墨基板的方法，包括：

i)将多孔石墨基板定位在工艺腔室中，所述多孔石墨基板具有一开口孔隙率，包括具有在0.4μm至5.0μm的范围内的平均孔径的孔并包括具有＜10μm的表面孔径的孔，并且具有＜0.05mm的平均晶粒尺寸；

ii)在所述工艺腔室中用氮净化所述多孔石墨基板，直到所述工艺腔室中的氧含量为约5.0％；

iii)在炉中将所述多孔石墨基板加热到至少约1000℃的温度；及

iv)继续在所述工艺腔室中用氮净化所述多孔石墨基板及将所述多孔石墨基板加热到＞1000℃的温度，直到所述工艺腔室中的所述氧含量为≤0.5％。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括在用氮净化所述多孔石墨基板及将所述多孔石墨基板加热到＞1000℃的温度直到所述氧含量为＜0.5％之后，在＞1000℃的温度下使所述多孔石墨基板退火。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包括在继续在所述工艺腔室中用氮净化所述多孔石墨基板及将所述多孔石墨基板加热到＞1000℃的温度直到所述工艺腔室中的所述氧含量为＜0.5％之后，使所述多孔石墨基板直接地经受化学气相沉积处理，而在所述化学气相沉积处理之前不清洁所述多孔石墨基板。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述炉中将所述多孔石墨基板加热到至少约1000℃的温度之前，在所述工艺腔室中流动氮，直到所述工艺腔室中的所述氧含量为约3.0％。

5.如权利要求1所述的方法，其中在所述炉中将所述多孔石墨基板加热到至少约1000℃的温度之后，继续加热，直到所述氧含量减小到≤0.3％。

6.如权利要求1所述的方法，其中在将所述石墨基板放置在所述工艺腔室中之前，所述石墨基板具有以重量计至少约20.00ppb的氯含量，其中在所述石墨基板中在主表面下方≥50μm处存在所述氯含量。

7.如权利要求1所述的方法，其中在将所述多孔石墨基板加热到＞1000℃的温度直到所述工艺腔室中的所述氧含量为＜0.5％及继续在所述工艺腔室中用氮净化期间，所述温度在1000℃与1500℃之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中在继续在所述工艺腔室中用氮净化所述多孔石墨基板及将所述多孔石墨基板加热到＞1000℃的温度直到所述工艺腔室中的所述氧含量为＜0.5％之后，所述多孔石墨基板的所述孔相比于被放置在所述工艺腔室中之前所述多孔石墨基板的孔具有扩大的平均孔径。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述多孔石墨基板具有以重量计≤10.00ppm的杂质总量。

10.一种用于高温处理部件的工艺腔室部件，所述工艺腔室部件包括：

石墨基板，具有初始开口孔隙率，所述初始开口孔隙率包括具有在0.4μm至5.0μm的范围内的平均孔径的孔并包括具有＜10μm的表面孔径的孔，所述石墨基板还具有之后改性的表面孔隙率，所述之后改性的表面孔隙率包括在所述石墨基板的表面处具有＞10μm的平均孔径的孔，并且所述石墨基板具有＜0.05mm的平均晶粒尺寸；和

在其表面上的碳化硅层，所述碳化硅层源于二甲基氯硅烷，所述碳化硅层向所述之后改性的表面孔隙率的所述孔中延伸，

其中所述碳化硅层包括具有至少50μm的长度的基本上四面体结晶碳化硅卷须。

11.如权利要求10所述的工艺腔室部件，其中在所述工艺腔室部件的孔尺寸改性之前，所述工艺腔室部件具有以重量计至少约20.00ppb的氯含量，其中所述氯含量在所述石墨基板中存在于所述石墨基板的外表面下方≥50μm处。

12.如权利要求10所述的工艺腔室部件，所述工艺腔室部件具有改性的孔和未改性的孔，所述改性的孔具有的直径是所述未改性的孔的直径的二至八倍。