[发明专利]激光退火装置、激光退火方法以及有源矩阵基板的制造方法在审
申请号: | 201880090243.5 | 申请日: | 2018-03-07 |
公开(公告)号: | CN111788658A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 野寺伸武;井上智博;小岩真司;道中悟志 | 申请(专利权)人: | 堺显示器制品株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 王娟 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 方法 以及 有源 矩阵 制造 | ||
1.一种激光退火装置,其特征在于,具有:
载物台,其具有容纳基板的容纳面;以及
激光照射装置,其向所述容纳面射出多个激光束,并在所述容纳面形成照射区域,
所述激光照射装置具有:
激光装置,其射出激光束;以及
聚光单元,其具有微透镜阵列和掩膜,接受从所述激光装置中射出的所述激光束,并在所述照射区域内形成所述多个激光束各自的聚光点,所述微透镜阵列具有排列成m行n列的多个微透镜,所述掩膜具有多个开口部,其中每个开口部是针对所述多个微透镜中每一个配置的,
所述多个激光束是由排列成所述m行n列的所述多个微透镜中的p行q列的微透镜来形成的p行q列的激光束,其中,p<m或q<n,
所述激光照射装置还具有摆动机构,所述摆动机构改变所述聚光单元和所述照射区域之间的配置关系,使得从排列成所述m行n列的所述多个微透镜中能够选择至少2个不同的p行q列的微透镜组。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光束大到能够照射比排列成所述m行n列的所述多个微透镜中的p行q列的微透镜更多的微透镜,
所述激光照射装置还具有遮光板,所述遮光板具有划定所述照射区域的透光部,
所述透光部具有与排列成所述m行n列的所述多个微透镜中的p行q列的微透镜对应的面积,其中p<m或q<n。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述遮光板配置在所述激光装置与所述聚光单元之间。
4.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述遮光板配置在所述聚光单元与所述基板之间。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的激光退火装置,其特征在于,所述摆动机构使所述聚光单元相对于所述照射区域的位置在与所述激光照射装置的扫描方向正交的摆动方向上移动。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的激光退火装置,其特征在于,所述摆动机构使所述聚光单元相对于所述照射区域的位置在所述激光照射装置的扫描方向上移动。
7.一种激光退火方法,其是通过使多个激光束依次聚集在非晶硅膜的多个区域内,从而形成排列成M行N列的多个晶硅岛的方法,其特征在于,包括:
工序A:准备载物台和激光照射装置,所述载物台具有容纳基板的容纳面,所述激光照射装置向所述容纳面射出多个激光束,并在所述容纳面上形成照射区域,具有激光装置和聚光单元,所述激光装置射出激光束,所述聚光单元具有微透镜阵列和掩膜,所述微透镜阵列具有排列成m行n列的多个微透镜,所述掩膜具有多个开口部,其中每个开口部是针对多个微透镜中的每一个而配置的;
工序B1:在所述容纳面上配置表面具有非晶硅膜的基板;以及
工序C1:使用所述激光照射装置,通过排列成所述m行n列的所述多个微透镜中的p行q列或t行q列的微透镜形成p行q列或t行q列的激光束作为所述多个激光束,同时在所述非晶硅膜的所述多个区域内形成所述多个激光束各自的聚光点,其中,p≤m且q≤n,t<p;以及
工序C2:在所述工序C1之后,使所述基板相对于所述照射区域沿列方向相对地移动一个间距,
所述方法包括工序D:包括在所述工序C1之后进行所述工序C2,然后再进行所述工序C1的时序,在成为排列成所述M行N列的所述多个晶硅岛的多个区域中的每一个中形成p次与每个区域对应的聚光点,
在M行q列的所有区域内形成所述多个激光束的聚光点之前,进行至少1次工序C3,所述工序C3:在所述工序C1之后,使用于对属于所述多个区域中的某一列的M个区域中的一个区域形成p次聚光点的p个微透镜组与用于对所述M个区域中的另一个区域形成p次聚光点的p个微透镜组至少有1个微透镜不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造