[发明专利]光强度自适应LED侧壁

说明书

公开了具有第一像素侧壁的第一像素。还公开了具有面向第一像素侧壁的第二像素侧壁的第二像素。还公开了第一动态光学隔离材料，其在第一像素侧壁和第二像素侧壁之间，并且被配置为基于状态触发来改变光学状态，使得由第一像素和第二像素中的一个发射的光在第一像素侧壁处的光行为由光学状态来确定。

背景技术

精确控制照明应用可能需要小型可寻址发光二极管（LED）像素系统的生产和制造。由于像素的小尺寸和系统之间的小通道空间，因此制造这种LED像素系统可能需要材料的准确沉积。

包括LED、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟以及氮的二元、三元以及四元合金，也被称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物、复合材料或其他合适的衬底上外延生长具有不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制备III族氮化物发光器件。该叠层通常包括形成在衬底上方的一个或多个掺杂有例如Si的n型层、形成在该一个或多个n型层上方的有源区域中的一个或多个发光层、以及形成在该有源区域上方的一个或多个掺杂有例如Mg的p型层。电气接触部形成在n型区域和p型区域上。

III族氮化物器件通常被形成为倒置或倒装芯片器件，其中n接触部和p接触部两者都形成在半导体结构的相同侧上，并且大部分光从半导体结构的与接触部相对的一侧被提取。

发明内容

公开了具有第一像素侧壁的第一像素。还公开了具有面向第一像素侧壁的第二像素侧壁的第二像素。还公开了第一动态光学隔离材料，其在第一像素侧壁和第二像素侧壁之间，并且被配置为基于状态触发来改变光学状态，使得由第一像素和第二像素中的一个发射的光在第一像素侧壁处的光行为由光学状态来确定。

附图说明

从以下结合附图以示例方式给出的描述中，可以获得更详细的理解，其中：

图1A是具有分解部分的微型LED阵列的俯视图；

图1B是具有沟槽的像素矩阵的截面图；

图1C是具有沟槽的另一像素矩阵的透视图；

图1D是影响像素侧壁处的光的方法；

图1E是具有处于不透明状态的动态光学隔离材料的像素阵列的俯视图；

图1F是具有处于透明状态的动态光学隔离材料的像素阵列的俯视图；

图1G是像素阵列的俯视图，其中该阵列的部分处于激活状态，而该阵列的其他部分处于非激活状态；

图1H是具有两个动态光学隔离材料层的像素的截面图；

图1I是像素阵列的截面图；

图2A是一个实施例中的具有在LED器件附接区域处附接至衬底的LED阵列的电子板的俯视图；

图2B是具有安装在电路板的两个表面上的电子部件的双通道集成LED照明系统的一个实施例的图；

图2C是示例车辆前照灯系统；以及

图3示出了示例照射系统。

具体实施方式

下文将参考附图更充分地描述不同光照射系统和/或发光二极管（LED）实施方式的示例。这些示例不相互排斥，并且在一个示例中发现的特征可以与在一个或多个其他示例中发现的特征相组合，以实现附加的实施方式。因此，将理解，附图中所示出的示例仅是出于说明的目的而提供的，并且它们不意图以任何方式限制本公开。贯穿全文，相同的数字指代相同的元件。