[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，将形成于第一基板的上方的半导体薄膜层自所述第一基板分离并接合于与所述第一基板不同的第二基板上，所述半导体元件的制造方法的特征在于包括：

形成多个所述半导体薄膜层的岛的步骤；

形成作为薄膜的固定层的步骤，所述固定层将所述半导体薄膜层的与所述第一基板一侧为相反侧的主面的至少一部分与所述第一基板中的所述半导体薄膜层一侧的面的至少一部分结合；

通过将所述半导体薄膜层或所述第一基板的一部分区域、或者所述半导体薄膜层与所述第一基板之间的层的一部分区域去除而形成空隙的步骤；

在形成所述空隙后，在所述半导体薄膜层的所述主面将形成于第三基板的有机材料层与所述固定层及所述半导体薄膜层的至少一部分的结合区域结合的步骤；

在所述有机材料层结合于所述结合区域的状态下将所述第三基板沿与所述第一基板相离的方向移动，由此将所述半导体薄膜层自所述第一基板分离的步骤；以及

将自所述第一基板分离后的所述半导体薄膜层接合于所述第二基板的步骤，

所述半导体元件的制造方法还包括：

在形成所述固定层的步骤中，形成与多个所述岛对应的多个所述固定层的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在将所述半导体薄膜层接合于所述第二基板的步骤后还包括：通过将所述有机材料层去除而将所述半导体薄膜层自所述第三基板分离的步骤。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在将所述半导体薄膜层自所述第三基板分离的步骤中，通过溶解而将所述有机材料层去除。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定层的步骤中形成如下厚度的所述固定层，即，通过移动所述第三基板的力而将形成于所述第一基板上的所述固定层与形成于所述半导体薄膜层的侧面的所述固定层之间切断的厚度。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定层的步骤中，以在所述半导体薄膜层的所述主面上的第一方向上在所述半导体薄膜层的两端间延伸存在，且在与所述第一方向正交的第二方向上的所述半导体薄膜层的两侧面中的至少一部分区域中所述半导体薄膜层露出的方式形成所述固定层。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定层的步骤中，以相较于在所述第一方向上延伸存在的所述固定层对所述半导体薄膜层中的所述第一方向上的两侧面的被覆率，在所述第二方向上延伸存在的所述固定层对所述半导体薄膜层中的所述第二方向上的两侧面的被覆率变小的方式形成所述固定层。

7.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定层的步骤中，以相较于所述半导体薄膜层的短边的侧面的被覆率，所述半导体薄膜层的长边的侧面的被覆率变小的方式形成所述固定层。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

将所述有机材料层与所述固定层结合的步骤包括：

准备在与多个所述岛对应的位置分别形成有所述有机材料层的所述第三基板的步骤；以及

将形成于所述第三基板的多个所述有机材料层结合于多个所述结合区域的步骤。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，

在形成所述固定层的步骤中，在所述固定层与所述半导体薄膜层之间设置电极，

所述半导体元件的制造方法在将所述半导体薄膜层接合于所述第二基板的步骤之后还包括：

在所述固定层中形成开口的步骤；以及

经由所述开口而形成连接于所述电极的配线层的步骤。