[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201880088817.5 | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN111684587B | 公开(公告)日: | 2023-06-09 |
发明(设计)人: | 伊东弘晃;市仓优太;渡边尚威;田多伸光;平塚大祐;田代匠太;水谷麻美;关谷洋纪;久里裕二;饭尾尚隆;松村仁嗣 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝能源系统株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/00;H01L23/31;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备并联连接的多个半导体元件单元,
所述半导体元件单元包括:
第一金属部件;
第二金属部件,与所述第一金属部件对置;
至少一个半导体元件,配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间;
树脂部件,在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件;以及
强化部件,以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置,强度比所述树脂部件的强度高,
所述强化部件具有开口,该开口使所述第一金属部件以及所述第二金属部件中的至少某一方局部地露出,
所述强化部件包含金属,
所述树脂部件填充于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间的空间,并且也填充于所述强化部件与所述第一金属部件之间的空间以及所述强化部件与所述第二金属部件之间的空间。
2.一种半导体装置,具备并联连接的多个半导体元件单元,
所述半导体元件单元包括:
第一金属部件;
第二金属部件,与所述第一金属部件对置;
至少一个半导体元件,配置于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间;
强化部件,以包围所述第一金属部件与所述第二金属部件的方式设置;以及
树脂部件,在所述第一金属部件与所述第二金属部件之间密封所述半导体元件,并以覆盖所述强化部件的方式设置,
所述强化部件的强度比所述树脂部件的强度高,所述强化部件具有使所述第一金属部件以及所述第二金属部件中的至少某一方局部地露出的开口,
所述强化部件包含金属,
所述树脂部件填充于所述第一金属部件与所述第二金属部件之间的空间,并且也填充于所述强化部件与所述第一金属部件之间的空间以及所述强化部件与所述第二金属部件之间的空间。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置,
所述强化部件与所述第一金属部件以及所述第二金属部件中的某一方电连接。
4.如权利要求1或2所述的半导体装置,
所述半导体装置还具备引线,该引线连接于所述半导体元件,并从所述第一金属部件与所述第二金属部件之间延伸,
所述强化部件具有在所述引线的延伸方向上设置的开放部。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置,
所述半导体元件具有第一电极和第二电极,该第二电极配置于所述第一电极的相反侧,
所述第一金属部件与所述第一电极连接,所述第二金属部件与所述第二电极连接。
6.如权利要求5所述的半导体装置,
所述第一金属部件具有连接于所述第一电极的凸部。
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