[发明专利]作为腐蚀抑制剂的苯并三唑衍生物

说明书

本公开涉及腐蚀抑制剂组合物、配制物和化合物。所述组合物、配制物和化合物可为多种方法使用以在含水环境中抑制金属表面的腐蚀。在一些实施例中，所述金属表面可以包括铜、铁、黄铜、镍、铝、锰、铅和青铜中的一种或多种。

技术领域

本公开大体上涉及腐蚀抑制剂和抑制腐蚀的方法。更特定地说，本公开涉及苯并三唑腐蚀抑制剂和在含水环境中抑制金属表面的腐蚀的方法。

背景技术

由于铜的高热导率和抗微生物特性，铜和铜合金组分常用在工业系统中。铜和铜合金(例如，青铜和黄铜)由于天然涂布铜表面的保护膜层而相对耐腐蚀，所述保护膜层包括内氧化亚铜膜层和外氧化铜膜层。在厌氧条件下，这些保护层一般降低金属表面进一步腐蚀的速率。然而，在某些条件下，铜和铜合金容易受到腐蚀。在氧存在下和在酸性条件下，可发生铜氧化和铜(II)离子溶解于水中。

通常将铜腐蚀抑制剂添加到工业水系统以防止和减少系统表面铜的溶解。具体地说，使用含氮化合物(例如唑)来抑制铜和铜合金的腐蚀是众所周知的。一般认为，氮孤对电子与金属配位，引起保护铜表面免受存在于含水系统中的元素影响的薄有机膜层形成。还已知含氮化合物(例如唑)使铜(II)从水溶液中沉淀，阻碍由于铜与其它金属之间的电化反应(galvanic reaction)而可发生的腐蚀。

氧化性卤素常用作工业系统中的杀生物剂以控制水中的粘泥和微生物的生长。由多种唑提供的保护膜在例如氯、次氯酸盐和次溴酸盐的氧化性卤素存在下腐蚀，从而降低腐蚀抑制剂的有效性。此外，由于溶液中腐蚀抑制剂的卤素侵蚀，在存在氧化性卤素的情况下常常发生铜(II)沉淀减少。因此，在存在氧化性卤素的情况下，腐蚀抑制剂的过量或连续注入常常需要维持有机保护膜。

发明内容

在一些实施例中，公开一种抑制与含水系统接触的金属表面的腐蚀的方法。所述方法包含将腐蚀抑制剂组合物添加到含水系统中，所述腐蚀抑制剂组合物包含选自由以下组成的群组的化合物：前述化合物中的任一种的异构体和其任何组合，其中R＝直链或分支链C₁-C₁₀烷基。

在一些实施例中，本公开内容提供腐蚀抑制配制物。配制物包含水、碱、约9到约14的pH和选自由以下组成的群组的化合物：

前述化合物中的任一种的异构体和其任何组合，其中R＝直链或分支链C₁-C₁₀烷基。

本公开内容还提供本文中所公开的配制物和/或组合物在抑制与含水系统接触的金属表面的腐蚀的方法中的用途。

上述已经相当广泛地概述了本公开的特点和技术优点，以便可以更好地理解以下具体实施方式。在下文中将描述本公开的额外特点和优点，所述额外特点和优点形成本申请的权利要求的主题。本领域的技术人员应了解，所公开的概念和特定实施例可易于用作修改或设计用于实现本公开的相同目的的其它实施例的基础。本领域的技术人员还应意识到，这类等效实施例不脱离如在所附权利要求书中所阐述的本公开的精神和范围。

附图说明

下文具体参考图式描述本发明的具体实施方式，其中：

图1展示描绘三种不同腐蚀抑制剂的性能数据的图。

具体实施方式

下面描述各种实施例。可以参考以下具体实施方式更好地理解实施例的各个要素的关系和功能。然而，实施例不限于本文明确描述的那些实施例。

提供以下定义以帮助确定如何理解本申请中所用的术语。

“烷氧基”是指式RO-的部分，其中R是烷基、烯基或炔基。

“烷基”是指直链或分支链烷基取代基。这类取代基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、己基等。