[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
申请号: | 201880086977.6 | 申请日: | 2018-10-03 |
公开(公告)号: | CN111656489A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 小野行雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01L21/26;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法,其是通过对基板照射光而加热该基板者,且具备:
光照射步骤,其是自连续点亮灯对载置在腔室内的晶座上的基板照射光而加热该基板;
环境形成步骤,其是在将成为处理对象的基板搬入至所述腔室之前,将预热用基板载置在所述晶座,将热传导率相较在所述光照射步骤中使用的处理气体高的传热气体供给至所述腔室内,形成包含所述传热气体的环境;及
预热步骤,其是通过来自所述连续点亮灯的光照射而加热所述预热用基板,自所述预热用基板经由所述传热气体使设置在所述腔室的石英窗升温。
2.根据权利要求1所述的热处理方法,其中
在所述环境形成步骤中,将经加热的所述传热气体供给至所述腔室内。
3.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其中
所述传热气体是氦气。
4.一种热处理装置,其是通过对基板照射光而加热该基板者,且具备:
腔室,其收容基板;
晶座,其在所述腔室内支撑基板;
连续点亮灯,其对支撑在所述晶座的基板照射光而加热该基板;及
气体供给部,其对所述腔室内供给气体;且
在将成为处理对象的基板搬入至所述腔室之前,将预热用基板载置在所述晶座,将热传导率相较成为所述处理对象的基板的热处理时使用的处理气体高的传热气体自所述气体供给部供给至所述腔室内而形成包含所述传热气体的环境之后,通过来自所述连续点亮灯的光照射而加热所述预热用基板,自所述预热用基板经由所述传热气体使设置在所述腔室的石英窗升温。
5.根据权利要求4所述的热处理装置,其进而具备气体加热部,该气体加热部加热所述传热气体。
6.根据权利要求4或5所述的热处理装置,其中
所述传热气体是氦气。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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