[发明专利]发光性膜、有机电致发光元件及有机电致发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种发光性膜，其为至少含有磷光发光性化合物和荧光发光性化合物的发光性膜，

所述磷光发光性化合物的发光光谱与所述荧光发光性化合物的吸收光谱的重叠积分值满足下述式(1)，

所述发光性膜的发光光谱中来自所述荧光发光性化合物的发光占9成以上，且

所述发光性膜的绝对量子收率(PLQE)由下述式(2)表示：

式(1)：J≥1.5×10¹⁴

式(1)中，J意指磷光络合物的发光光谱与荧光发光性化合物的吸收光谱的重叠积分值，

式(2)：PLQE(包含磷光发光性化合物+主体化合物的膜)×0.9≤PLQE(包含磷光发光性化合物+荧光发光性化合物的膜)

式(2)中，主体化合物的最低三重激发态比磷光发光性化合物的最低三重激发态高，不阻碍磷光发光性化合物的发光性。

2.根据权利要求1所述的发光性膜，其中，所述磷光发光性化合物的发光光谱与所述荧光发光性化合物的吸收光谱的重叠积分值满足下述式(3)，

式(3)：J≥6.0×10¹⁴。

3.根据权利要求1或2所述的发光性膜，其含有以下主体化合物：该主体化合物的最低三重激发态存在于比所述磷光发光性化合物的最低三重激发态高的能量侧的能级。

4.根据权利要求1或2所述的发光性膜，其含有以下主体化合物：该主体化合物的最低三重激发态存在于比所述磷光发光性化合物的最低三重激发态低的能量侧的能级。

5.根据权利要求1或2所述的发光性膜，其为只由所述磷光发光性化合物和所述荧光发光性化合物构成的发光性膜。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的发光性膜，其中，就所述荧光发光性化合物而言，由该荧光发光性化合物构成的荧光发光性化合物单独膜的绝对量子收率为10％以上。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的发光性膜，其中，所述荧光发光性化合物为具有由下述通式(1)表示的结构的荧光发光性化合物，

通式(1)

X-(Y)_n

通式(1)中，X表示14π电子系以上的π共轭稠环，Y表示重氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、巯基、取代或未取代的、烷基、环烷基、烯基、炔基、杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰氨基、氨基甲酰基、脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、杂芳基磺酰基、氨基、氟代烃基、三芳基甲硅烷基、二芳基烷基甲硅烷基、芳基二烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、磷酸酯基、亚磷酸酯基、膦酰基或苯基、或具有由下述通式(2)表示的结构的基团，可进一步具有取代基，Y中的至少一个为具有由下述通式(2)表示的结构的基团，在Y有多个的情况下可彼此不同，n为1至可取代于X的最大数的整数，

通式(2)

通式(2)中，R¹～R⁵相互独立地表示氢原子、重氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、巯基、烷基、环烷基、烯基、炔基、杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳氧基、烷硫基、环烷硫基、芳硫基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨磺酰基、酰基、酰氧基、酰氨基、氨基甲酰基、脲基、亚磺酰基、烷基磺酰基、芳基磺酰基或杂芳基磺酰基、氨基、氟代烃基、三芳基甲硅烷基、二芳基烷基甲硅烷基、芳基二烷基甲硅烷基、三烷基甲硅烷基、磷酸酯基、亚磷酸酯基或膦酰基，可进一步具有取代基，R¹或R⁵中的至少一者为具有由下述通式(3)或(4)表示的结构的基团，＊1表示与X的键合部位，

通式(3)

通式(3)中，A表示碳原子或硅原子，R⁶～R⁸各自独立地表示与通式(2)中的R¹～R⁵同样的基团，R⁶～R⁸中的至少一个为碳数1以上的烷基，＊2表示与邻接原子的键合部位，

通式(4)

通式(4)中，R⁹和R¹⁰各自独立地表示与通式(2)中的R¹～R⁵同样的基团，但至少一个为碳数1以上的烷基，＊3表示与邻接原子的键合部位，通式(2)～(4)中的R¹～R¹⁰中进行邻接的基团可相互键合而形成脂肪族环。