[发明专利]恢复辐射检测器的方法

说明书

一种恢复辐射检测器的性能的方法，辐射检测器(110)包括：辐射吸收层(110)，配置成吸收入射到其上的辐射粒子，并且基于辐射粒子来生成电信号；电子系统(120)，配置成处理电信号，电子系统(120)包括晶体管，晶体管包括栅绝缘体(218)，其中因栅绝缘体(218)对辐射的暴露而累积正载流子；该方法包括通过建立跨栅绝缘体(218)的电场从栅绝缘体(218)中去除正载流子。

【技术领域】

本公开涉及恢复辐射检测器的方法，具体来说涉及从辐射损坏来恢复辐射检测器的方法。

【背景技术】

辐射检测器是测量辐射的性质的装置。性质的示例可包括辐射的强度、相位和极化的空间分布。辐射可以是与受检者进行交互的辐射。例如，由辐射检测器所测量的辐射可以是穿透受检者或者从受检者反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，例如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可属于其他类型，例如α射线和β射线。

一种类型的辐射检测器基于辐射与半导体之间的交互。例如，这种类型的辐射检测器可具有半导体层(其吸收辐射并且生成载流子(例如电子和空穴)以及用于检测载流子的电路。

【发明内容】

本文所公开的是一种恢复辐射检测器的性能的方法，辐射检测器包括：辐射吸收层，配置成吸收入射到其上的辐射粒子，并且基于辐射粒子来生成电信号；电子系统，配置成处理电信号，电子系统包括晶体管，晶体管包括栅绝缘体，其中因栅绝缘体对辐射的暴露而累积正载流子；该方法包括通过建立跨栅绝缘体的电场从栅绝缘体中去除正载流子。

按照实施例，去除正载流子包括对栅绝缘体进行退火。

按照实施例，该方法还包括：接收代码；确定代码是否有效；其中正载流子仅当代码有效时才从栅绝缘体中去除。

按照实施例，晶体管包括栅电极，其中建立电场包括在栅电极上施加偏置电压。

按照实施例，在栅电极上施加偏置电压包括将栅电极连接到电压源。

按照实施例，在栅电极上施加偏置电压包括通过限制器来限制偏置电压。

按照实施例，晶体管包括源极和漏极，其中栅电极上的偏置电压针对源极或漏极。

按照实施例，源极和漏极处于相同电位。

按照实施例，偏置电压具有低于栅绝缘体的击穿电压的幅值。

按照实施例，偏置电压具有大于栅绝缘体的击穿电压的90％的幅值。

按照实施例，晶体管是MOSFET。

按照实施例，电子系统包括：电压比较器，配置成将辐射吸收层的电触点的电压与第一阈值进行比较；计数器，配置成记录辐射吸收层所吸收的辐射粒子的数量；控制器；伏特计；其中，控制器配置成从电压比较器确定电压的绝对值等于或超过第一阈值的绝对值的时间开始时间延迟；控制器配置成在时间延迟到期时使伏特计测量电压；控制器配置成通过将伏特计所测量的电压除以单个辐射粒子对辐射吸收层的电触点所引起的电压来确定辐射粒子的数量；控制器配置成使计数器所记录的数量增加辐射粒子的数量。

按照实施例，控制器包括晶体管。

按照实施例，电压比较器包括晶体管。

按照实施例，辐射检测器还包括电容器，其电连接到辐射吸收层的电触点，其中电容器配置成收集来自辐射吸收层的电触点的载流子。

按照实施例，控制器配置成在时间延迟开始时停用电压比较器。

按照实施例，第一阈值为单个光子对辐射吸收层的电触点所生成的电压的5-10％。