[发明专利]应变片有效
| 申请号： | 201880086299.3 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111587357B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 美齐津英司;足立重之;北原昂祐;浅川寿昭;北村厚 | 申请（专利权）人： | 美蓓亚三美株式会社 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本长野*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 | ||
1.一种应变片，包括：
树脂制的基材，具有可挠性；以及
电阻体，以α-Cr作为主成分并由Cr、CrN、Cr2N进行相混合而成的Cr混合相膜形成；以及
功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述电阻体的下层，
其中，在所述Cr混合相膜扩散有所述功能层中包含的Cr以外的元素，
所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，
所述电阻体包括：
第一电阻部，形成在所述基材的预定表面上；
第二电阻部，以使栅格方向朝向与所述第一电阻部的栅格方向不同的方向的方式，形成在所述基材的所述预定表面或与所述预定表面平行的表面上；以及
第三电阻部，形成在所述基材的与所述预定表面相邻的表面上，
应变率为10以上。
2.根据权利要求1所述的应变片，其中，
与所述预定表面相邻的表面与所述预定表面之间所成的角度为钝角。
3.根据权利要求1所述的应变片，其中，
所述第一电阻部、所述第二电阻部以及所述第三电阻部被布置成使栅格方向彼此正交。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，其中，
所述电阻体包含80重量％以上的α-铬。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的应变片，还包括：
绝缘树脂层，对所述电阻体进行覆盖。
6.一种应变片，包括：
树脂制的基材，具有可挠性；以及
电阻体，以α-Cr作为主成分并由Cr、CrN、Cr2N进行相混合而成的Cr混合相膜形成；以及
功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述电阻体的下层，
其中，在所述Cr混合相膜扩散有所述功能层中包含的Cr以外的元素，
所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，
所述电阻体包括：
第一电阻部，形成在所述基材的预定表面上；
第二电阻部，以使栅格方向朝向与所述第一电阻部的栅格方向不同的方向的方式，形成在所述基材的所述预定表面或与所述预定表面平行的表面上；以及
第三电阻部，形成在所述基材的与所述预定表面相邻的表面上，
电阻温度系数在-1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范围内。
7.一种应变片，包括：
树脂制的基材，具有可挠性；以及
电阻体，以α-Cr作为主成分并由Cr、CrN、Cr2N进行相混合而成的Cr混合相膜形成；以及
功能层，由金属、合金、或金属的化合物直接形成在所述电阻体的下层，
在所述Cr混合相膜扩散有所述功能层中包含的Cr以外的元素，
所述功能层对所述Cr混合相膜的生长面进行限制并促进所述Cr混合相膜的晶体生长，
所述电阻体包括：
第一电阻部，形成在所述基材的预定表面上；
第二电阻部，以使栅格方向朝向与所述第一电阻部的栅格方向不同的方向的方式，形成在所述基材的所述预定表面或与所述预定表面平行的表面上；以及
第三电阻部，形成在所述基材的与所述预定表面相邻的表面上。
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