[发明专利]SIM卡的制造方法及SIM卡在审
| 申请号: | 201880086109.8 | 申请日: | 2018-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN111566671A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
| 发明(设计)人: | 叶颜伟 | 申请(专利权)人: | 兰克森控股公司 |
| 主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 梁晓广;李金刚 |
| 地址: | 法国芒*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | sim 制造 方法 | ||
1.一种用户识别模块(SIM)卡(1)的制造方法,所述方法包括以下步骤:
-提供介电材料带(2)和导电层(5),所述介电材料带(2)具有第一主表面(6)和第二主表面(9),所述导电层(5)被层压到所述第一主表面(6)上,在所述导电层(5)中形成导电接触件(7),所述导电接触件(7)被布置为形成至少一个接触件7导电片,所述至少一个接触件7导电片对应一个SIM卡(1),所述SIM卡(1)具有外围边界(14);
-提供芯片(8)并将所述芯片(8)电连接到所述至少一个接触件(7)垫的至少一些接触件(7);
-在所述芯片(8)上方的第二主表面(9)上提供封装材料(12);
其特征在于,所述方法包括以下步骤:
-在所述外围边界(14)附近的介电材料(2)中形成定界结构(4),所述定界结构(4)沿边界线(15)布置;以及
-在基本上位于所述边界线(15)内的第二主表面(9)的区域上分配所述封装材料(12)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述介电材料(2)中形成定界结构(4)的步骤包括沿所述边界线(15)冲孔或开槽。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中在所述封装材料(12)顶部上形成平面表面(16)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中通过磨削所述封装材料(12)而形成所述平面表面(16)。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其中在所述平面表面(16)上刻有标记(17)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述封装材料(12)通过热封装执行。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述封装材料(12)是树脂,所述树脂的粘度在10000毫帕秒至50000毫帕秒之间。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中分配所述封装材料(12)被分配以在所述定界结构(4)上方铺展,所述限定结构(4)在所述成品SIM卡中。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中所述定界结构(4)被制成通孔,所述通孔在所述介电材料带(2)和所述导电层(5)两者中。
10.一种SIM卡(1),所述SIM卡(1)具有外围边界(14)并且包括:
-介电材料基板(2),所述介电材料基板(2)具有第一主表面(6)和第二主表面(9),
-导电层(5),所述导电层(5)被层压在所述第一主表面(6)上,并在所述导电层(5)中形成导电接触件(7),导电接触件(7)被布置为形成接触件(7)导电片,
-芯片(8),所述芯片(8)电连接到接触件(7)导电片的至少一些接触件(7);
-在所述芯片(8)上方的第二主表面(9)上的封装材料(12);
其特征在于,其包括在所述外围边界(14)附近的介电材料中的定界结构(4),所述定界结构(4)沿边界线(15)布置,并且所述封装材料(12)被置于所述第二主表面上基本位于边界线(15)内的区域上。
11.根据权利要求10所述的SIM卡,具有外围边界(14),所述外围边界(14)基本上对应所述接触件(7)导电片的外边界。
12.根据权利要求10或11所述的SIM,其中所述SIM卡(1)的外围边界(14)对应形状因数,所述形状因数小于4FF。
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