[发明专利]有机EL显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机EL显示装置，其具有多个像素，其特征在于，

所述有机EL显示装置具有：

基板；

多个有机EL元件，其为由所述基板支承的多个有机EL元件，所述多个有机EL元件分别配置在所述多个像素中的每一个；

元件基板，其具有规定所述多个像素中的每一个的堤层；以及

薄膜密封结构，其覆盖所述多个像素，

所述薄膜密封结构具有第一无机势垒层及与所述第一无机势垒层的上表面或下表面接触的有机势垒层，

所述多个像素包含红色像素、绿色像素及蓝色像素，且具有选择性地设置在所述蓝色像素上的所述薄膜密封结构上的呈蓝色的聚丁二炔层，

所述聚丁二炔层为10,12-二十五碳二炔酸的聚合物。

2.如权利要求1所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述薄膜密封结构所具有的所述有机势垒层具有多个实心部，所述多个实心部与所述第一无机势垒层的所述上表面接触且离散地分布，

所述薄膜密封结构还包括第二无机势垒层，所述第二无机势垒层与所述第一无机势垒层的所述上表面及所述有机势垒层的所述多个实心部的上表面接触，

所述聚丁二炔层形成在所述第二无机势垒层上。

3.如权利要求1或2所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述聚丁二炔层具有半导体性。

4.如权利要求3所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述聚丁二炔层的电阻率在1×10^-1Ωcm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

还具有设置在所述聚丁二炔层上的紫外线吸收层。

6.如权利要求1至5中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述第一无机势垒层由氮化硅形成。

7.如权利要求1至6中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述聚丁二炔层的厚度在0.5μm以上且2.0μm以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述聚丁二炔层的透射光谱中的蓝色光的峰值波长在460nm以上且470nm以下的范围内。

9.如权利要求8所述的有机EL显示装置，其特征在于，

所述聚丁二炔层的所述蓝色光的峰值波长的透射率在80％以上。

10.一种如权利要求1至9中任一项所述的有机EL显示装置的制造方法，其特征在于，

所述聚丁二炔层的形成工序包含：

形成所述薄膜密封结构后，通过掩模蒸镀法在所述薄膜密封结构上沉积10,12-二十五碳二炔酸的工序；及

对所述10,12-二十五碳二炔酸照射电子束或紫外线的工序。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，

形成所述薄膜密封结构的工序包含形成氮化硅层的工序，在形成所述氮化硅层之后，通过掩模蒸镀法沉积所述10,12-二十五碳二炔酸，从而不使所述氮化硅层暴露于大气中。

12.如权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，

形成所述薄膜密封结构的工序包含：

在腔室内准备形成了所述第一无机势垒层的所述元件基板的工序；

向所述腔室内供给蒸汽或雾状光固化性树脂的工序；

在所述第一无机势垒层上使所述光固化性树脂凝结且形成液膜的工序；

通过对所述光固化性树脂的所述液膜照射光，形成光固化树脂层的工序；以及

对所述光固化树脂层部分地进行灰化，从而形成所述有机势垒层的工序。

13.如权利要求10或11所述的制造方法，其特征在于，

形成所述有机势垒层的工序通过喷雾法、旋转涂覆法、缝隙涂布法、网板印刷或喷墨法来进行。