[发明专利]添加氩至远程等离子体氧化

权利要求书

1.一种用于氧化的方法，包含以下步骤：

以第一流率将氢气流入处理腔室的处理区，其中所述处理区具有定位在所述处理区中的基板；

以第二流率将氧气流入前驱物活化器；

以第三流率将氩气流入所述前驱物活化器；

在所述前驱物活化器中从所述氧气与氩气产生等离子体；

将所述等离子体流入所述处理区，其中所述等离子体与所述氢气混合以创造活化处理气体；和

使所述基板暴露于所述活化处理气体以在所述基板上形成氧化物膜，其中通过调整所述第三流率来控制所述氧化物膜的生长速率。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：增加所述第三流率以增加所述氧化膜的生长速率。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：减少所述第三流率以减少所述氧化膜的生长速率。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述第二流率对于所述第三流率的比率(O₂：Ar)在约1：1与约5：1之间。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在将所述等离子体流入所述处理区之前，将氧气和/或氩气流入所述处理区。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述基板保持在500摄氏度与1100摄氏度之间的温度。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述处理区保持在约0.5托与约5托之间的压力。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述前驱物活化器中基于氩气与氧气的总量的氩气的浓度为20％与50％之间。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：在产生所述等离子体之前，以第四流率将氢气流入所述前驱物活化器。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含暴露的氮化硅表面、暴露的多晶硅表面、暴露的氧化铝表面和暴露的氧化硅表面的至少一个。

11.一种用于氧化的方法，包含以下步骤：

将基板定位在处理腔室的处理区中；

以第一流率将氢气流入前驱物活化器，其中所述前驱物活化器与所述处理区流体地耦接；

以第二流率将氧气流入所述前驱物活化器；

以第三流率将氩气流入所述前驱物活化器；

在所述前驱物活化器中从所述氢气、氧气与氩气产生等离子体；

将所述等离子体流入所述处理区；和

使所述基板暴露于所述等离子体以在所述基板上形成氧化物膜，其中通过调整所述第三流率来控制所述氧化物膜的生长速率。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包含以下步骤：增加所述第三流率以增加所述氧化膜的生长速率。

13.如权利要求11所述的方法，进一步包含以下步骤：减少所述第三流率以减少所述氧化膜的生长速率。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述第二流率对于所述第三流率的比率(O₂：Ar)在约1：1与约5：1之间。

15.如权利要求11所述的方法，进一步包含以下步骤：在产生所述等离子体之前，将氢气流通过所述前驱物活化器并流进入所述处理区。