[发明专利]扫描电子显微镜和分析二次电子自旋极化的方法

权利要求书

1.一种扫描电子显微镜，其特征在于，具备：

自旋检测器，其测定从试样释放的二次电子自旋极化；

分析装置，其对上述自旋检测器的测定数据进行分析，

上述分析装置进行如下动作：

保存将二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度与应变量关联起来的数据库，

在上述测定数据中，确定上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度，

对在上述测定数据中确定的上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度与上述数据库进行比较，来确定应变量，根据上述区域的宽度，对上述试样的应变进行评价。

2.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

在上述测定数据中，上述分析装置检测上述二次电子自旋极化局部性变化的位置。

3.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置确定用户指定的上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度。

4.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置进行如下动作：

在上述二次电子自旋极化局部性变化的位置，在多个方向上确定上述二次电子自旋极化变化的区域的宽度，

根据上述宽度的最小值，对上述试样的应变进行评价。

5.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置通过近似函数的拟合，确定上述二次电子自旋极化变化的区域的宽度。

6.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置进行如下动作：

根据上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度的大小，确定上述试样内的应变的大小，

根据上述应变的大小，确定上述试样内的应变分布，并显示表示上述应变分布的信息。

7.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置根据上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度以及上述区域的相邻区域中的自旋极化的方向，对上述试样的应变进行评价。

8.根据权利要求1所述的扫描电子显微镜，其特征在于，

上述分析装置进行如下动作：

在上述试样中确定多个晶粒，

对上述多个晶粒中的每一个晶粒的应变进行评价，

将上述多个晶粒中的每一个晶粒的应变的评价结果连接起来确定上述试样内的应变分布。

9.一种方法，是分析装置对在扫描电子显微镜中测定的试样的二次电子自旋极化进行分析的方法，其特征在于，

上述分析装置进行如下动作：

保存将二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度与应变量关联起来的数据库，

在二次电子自旋极化的测定数据中，确定上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度，

对在上述测定数据中确定的上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度与上述数据库进行比较，来确定应变量，根据上述区域的宽度，对上述试样的应变进行评价。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

在上述测定数据中，上述分析装置确定上述二次电子自旋极化局部性变化的位置。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

上述分析装置确定用户指定的上述二次电子自旋极化局部性变化的区域的宽度。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

上述分析装置进行如下动作：

在上述二次电子自旋极化局部性变化的位置，在多个方向上确定上述二次电子自旋极化变化的区域的宽度，

根据上述宽度的最小值，对上述试样的应变进行评价。