[发明专利]树脂掩膜剥离用清洗剂组合物

说明书

本发明在一个方案中提供一种树脂掩膜去除性优异的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)及水(成分C)，成分B的汉森溶解度参数的坐标在以δd＝18.3、δp＝6.8、δh＝3.7为中心的半径5.45MPa^0.5的球的范围内，使用时的成分C的含量为69.9质量％以上且99.4质量％以下。

技术领域

本发明涉及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的清洗方法及电子部件的制造方法。

背景技术

近年来，在个人电脑或各种电子装置中，低耗电化、处理速度的高速化、小型化有所发展，搭载与其上的封装基板等的配线逐年微细化。形成这种微细配线以及支柱或凸块的连接端子至今主要使用金属掩膜法，但由于通用性较低或难以应对配线等的微细化，而正在向其他新方法转变。

作为新方法之一，已知将干膜抗蚀剂代替金属掩膜而用作厚膜树脂掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、去除，此时使用碱性的剥离用清洗剂。

作为这种剥离用清洗剂，例如，专利文献1中记载有一种低蚀刻性抗蚀剂清洗剂，其特征在于：含有季铵氢氧化物、规定的烷基二醇芳基醚或其衍生物、以及(C)苯乙酮或其衍生物。

专利文献2中记载有一种抗蚀剂用剥离液，其含有(A)脂肪族醇系溶剂35～80质量％、(B)选自卤素系烃溶剂、非羟基化醚溶剂中的有机溶剂10～40质量％、(C)季铵盐0.1～25质量％。

专利文献3中记载有一种溶液，其含有：包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物、规定的烷醇胺及醇、多羟基化合物或其组合的第二溶剂，且水的含量为3质量％以下。

专利文献4中记载有一种准水系组合物，该准水系组合物用于微电子装置的再加工，且含有至少1种碱及/或碱土金属碱、至少1种有机溶剂及水。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/071078号

专利文献2：美国专利第5185235号说明书

专利文献3：美国专利申请公开第2014/0155310号说明书

专利文献4：国际公开第2008/039730号

发明内容

发明要解决的课题

对印刷基板等形成微细配线时，不仅为了减少树脂掩膜的残存，更为了减少用于形成微细配线或凸块的焊料或镀覆液等中所包含的助剂等的残存，对清洗剂组合物要求较高的清洗性。树脂掩膜使用因光或电子束等而使在显影液中的溶解性等物性发生变化的抗蚀剂而形成。

根据与光或电子束反应的方法，抗蚀剂大体分为负型与正型。负型抗蚀剂具有若被曝光则在显影液中的溶解性降低的特性，关于包含负型抗蚀剂的层(以下也称为“负型抗蚀层”)，在曝光及显影处理后，曝光部用作树脂掩膜。正型抗蚀剂具有若被曝光则对显影液的溶解性增大的特性，关于包含正型抗蚀剂的层(以下也称为“正型抗蚀层”)，在曝光及显影处理后，曝光部被去除，未曝光部用作树脂掩膜。通过使用具有这种特性的树脂掩膜，可形成金属配线、金属柱或焊料凸块的电路基板的微细连接部。

但是，由于形成这些连接部时所使用的镀覆处理或加热处理等树脂掩膜的特性发生变化，在下一工序的清洗工序中，存在树脂掩膜难以被去除的倾向。特别是，负型抗蚀剂具有通过与光或电子束的反应而固化的特性，因而使用负型抗蚀剂形成的树脂掩膜由于形成连接部时所使用的镀覆处理或加热处理等固化至超过必要的程度，无法通过清洗工序而完全去除，或者，去除所耗时间非常长，从而对基板或金属表面造成损伤。如此，经镀覆处理及/或加热处理的树脂掩膜难以去除，因此对清洗剂组合物要求较高的树脂掩膜去除性。