[发明专利]用于光电装置的伪衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种用于光电装置(100)的伪衬底(10)，所述伪衬底(10)适于在所述伪衬底(10)上生长发光二极管(11、12、13)，所述伪衬底(10)包括衬底(1)和形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的缓冲结构(2)，所述缓冲结构(2)包括：

-至少一个第一部分(21)，其中由整体氮化镓(GaN)形成的层(211)限定至少一个第一类型的自由表面(210)，所述至少一个第一类型的自由表面背离所述衬底(1)的上表面(1a)的一侧，每个第一类型的自由表面(210)都适于在其上生长主要基于III-V族化合物的能够发射第一波长的光(L1)的至少一个发光二极管(11)，

-以及，至少一个第二部分(22)，其中氮化铟镓(InGaN)层和GaN中间层交替并且其中铟以第一质量比例存在的叠层(221)限定至少一个第二类型的自由表面(220)，所述第二类型的自由表面背离所述衬底(1)的上表面(1a)的一侧，每个第二类型的自由表面(220)都适于在其上生长主要基于III-V族化合物的能够发射不同于所述第一波长的第二波长的光(L2)的至少一个发光二极管(12)，

-所述缓冲结构(2)的所述至少一个第二部分(22)在平行于所述衬底(1)的上表面(1a)的平面定向的总体平面(P)中相对于所述缓冲结构(2)的所述至少一个第一部分(21)偏移。

2.根据权利要求1所述的伪衬底(10)，其特征在于，在所述缓冲结构(2)的所述至少一个第二部分(22)处，InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(221)至少部分地形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上，其特征还在于所述伪衬底包括形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的成核层，并且其特征还在于，在所述缓冲结构(2)的所述至少一个第二部分(22)处，InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(221)至少部分地形成在所述成核层上。

3.根据权利要求2所述的伪衬底(10)，其特征在于，所述至少一个第二部分(22)的InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(221)为至少一种纳米元件的形式，所述纳米元件为线的形式或角锥的形式。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的伪衬底(10)，其特征在于，所述缓冲结构(2)包括至少一个第三部分(23)，其中InGaN和GaN中间层交替并且其中铟以严格不同于所述第一质量比例的第二质量比例存在的叠层(231)限定至少一个第三类型的自由表面(230)，所述第三类型的自由表面背离所述衬底(1)的上表面(1a)的一侧，每个第三类型的自由表面(230)都适于在其上生长主要基于III-V族化合物的能够发射不同于所述第一波长和所述第二波长的第三波长的光(L3)的至少一个发光二极管(13)，并且在于，所述缓冲结构(2)的所述至少一个第三部分(23)在平行于所述衬底(1)的上表面(1a)的平面定向的所述总体平面(P)中相对于所述缓冲结构(2)的所述至少一个第一部分(21)以及相对于所述缓冲结构(2)的所述至少一个第二部分(22)偏移。

5.根据权利要求4所述的伪衬底(10)，其特征在于，在所述缓冲结构(2)的所述至少一个第三部分(23)处，InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(231)至少部分地形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上，其特征还在于所述伪衬底包括形成在所述衬底(1)的上表面(1a)上的成核层，并且其特征还在于，在所述缓冲结构(2)的所述至少一个第三部分(23)处，InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(231)至少部分地形成在所述成核层上。

6.根据权利要求4所述的伪衬底(10)，其特征在于，所述至少一个第三部分(23)的InGaN层和GaN中间层交替的所述叠层(231)为至少一种纳米元件的形式，所述纳米元件为线的形式或角锥的形式。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的伪衬底(10)，其特征在于，在所述至少一个第二部分(22)处，铟的第一质量比例在5％至25％的范围内。