[发明专利]半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液和光学部件有效
| 申请号： | 201880084307.0 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111566045B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 森山乔史;本吉亮介 | 申请（专利权）人： | 昭荣化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B25/14 | 分类号： | C01B25/14;B82Y30/00;C01B25/08;C09K11/88 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 粒子 分散 光学 部件 | ||
1.一种半导体纳米粒子，其为至少包含In、P、Zn、Se、S和卤素的半导体纳米粒子，其中，
所述P、所述Zn、所述Se、所述S和所述卤素的含有率以相对于所述In的摩尔比计为：
P：0.05～0.95，
Zn：0.50～15.00，
Se：0.50～5.00，
S：0.10～15.00，
卤素：0.10～1.50。
2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子，其中，
所述半导体纳米粒子中的所述Se的摩尔数和所述S的摩尔数的合计，高于所述半导体纳米粒子中的所述Zn的摩尔数。
3.根据权利要求1或2所述的半导体纳米粒子，其中，
所述卤素为Cl。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体纳米粒子，其具有芯/壳结构。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体纳米粒子，其量子效率(QY)为70％以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体纳米粒子，其发射光谱的半值宽度(FWHM)为40nm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，
所述Zn的含有率以相对于所述In的摩尔比计为：
Zn：2.50～10.00
并且，所述半导体纳米粒子在空气中于180℃加热5小时后的量子效率(QYb)和该加热前的量子效率(QYa)满足QYb/QYa≥0.8。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体纳米粒子，其中，
所述Zn的含有率以相对于所述In的摩尔比计为：
Zn：2.50～10.00
并且，所述半导体纳米粒子在空气中于180℃加热5小时后的量子效率(QYb)和该加热前的量子效率(QYa)满足QYb/QYa≥0.9。
9.一种半导体纳米粒子分散液，其通过使权利要求1～8中任一项所述的半导体纳米粒子分散于溶剂而得到。
10.一种光学部件，其包含权利要求1～8中任一项所述的半导体纳米粒子。
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