[发明专利]通过使用可分离结构来转移层的方法有效
申请号: | 201880084209.7 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN111527590B | 公开(公告)日: | 2023-09-29 |
发明(设计)人: | M·布鲁尔 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 相迎军;王小东 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 使用 可分离 结构 转移 方法 | ||
本发明涉及一种用于从可分离结构(100)转移表层的方法,该方法包括以下步骤:a)供应可分离结构(100),该可分离结构(100)包括:·支撑基底(10);·可分离层(20),该可分离层(20)沿着主平面(x,y)布置在支撑基底(10)上并且包括彼此分开的多个壁(21),各个壁(21)具有垂直于主平面(x,y)的至少一个侧面;·表层(30),该表层(30)沿着主平面(x,y)布置在可分离层(20)上;b)施加机械力,该机械力被配置成致使所述壁(21)沿着所述侧面的割线方向弯曲,直到致使壁(21)机械断裂为止,以便使表层(30)从支撑基底(10)分离。
技术领域
本发明涉及用于应用在微电子、光学、微系统等中的转移薄层的领域。尤其是,本发明涉及可以用于转移或处理薄层的可分离(detachable)结构。
背景技术
许多应用(尤其是在微电子、光学或微系统领域中)需要布置在特定的基底(薄的、柔性的、金属的、绝缘体等)上的薄层(潜在集成部件)。这些特定的基底并不总是与用于制造薄层的方法和/或用于在所述层上集成部件的方法兼容。
因此,能够将薄层(具有或没有集成部件)从与上述方法兼容的原始基底转移到具有预期应用所需的特性的特定目标基底上是有价值的。
存在用于将在原始基底上形成的薄层转移到目标基底上的几种方法。
一些转移方法包括将(布置在原始基底上的)薄层和目标基底组装起来,并且然后机械地和/或化学地去除原始基底,从而将薄层转移到目标基底上。该方法的主要缺点是与原始基底的损失相关联的成本以及在转移期间可能降低薄层质量的限制性机械和化学处理。
其它方法基于分离,通过向薄层与原始基底之间存在于原始基底中的弱化层或界面施加机械应力或化学处理;当发生分离时,先前组装在目标基底上的薄层被转移到目标基底上。特别是在文献FR2748851、FR2823599或FR2823596中描述的方法就是这种情况。
这些方法的缺点大致是由于以下事实:通过将刀片插入已组装的原始基底与目标基底之间、通过施加高拉应力和/或通过浸入化学溶液中进行分离的步骤能够降低薄层的质量。此外,分离有时可能发生在除弱化层或界面之外的界面或层处,因为难以在弱化层或界面处精确地定位机械应力和/或化学侵蚀。
基于界面处的激光分开(“激光剥离”)的其它处理还要求使用透明基底(用于最终基底或用于原始支撑基底),这限制了应用的范围。
发明目的
本发明涉及旨在解决现有技术的所有或部分缺点的另选解决方案。本发明的一个目的是在可分离层处的可分离结构,该结构可以用于转移或处理层。
发明内容
本发明涉及一种用于从可分离结构转移表层的方法,该方法包括以下步骤:
a)供应可分离结构,该可分离结构包括:
·支撑基底;
·可分离层,该可分离层沿着主平面布置在支撑基底上并且包括彼此分开的
多个壁,各个壁具有垂直于主平面的至少一个侧面;
·表层,该表层沿着主平面布置在可分离层上;
b)施加机械力,该机械力被配置成致使所述壁沿着所述侧面的割线方向弯曲,直到致使壁机械断裂为止,以便使表层从支撑基底分离。
根据本发明的有利特征,单独或以任何可行的组合进行:
·将壁根据预限定的网格分布在主平面中;
·壁的预限定的网格使得主平面中存在与各个壁的一个侧面形成非零角度的至少一个横向方向;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造