[发明专利]化学沉积制程的前驱物控制技术在审
| 申请号: | 201880083702.7 | 申请日: | 2018-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN111566792A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
| 发明(设计)人: | 艾莱纳·巴巴雅;莎拉·怀特;维杰·维纳寇帕;乔纳森·巴克 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
| 地址: | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 化学 沉积 前驱 控制 技术 | ||
1.一种设备,包括:
处理器;以及
存储器单元,耦合至所述处理器,包括通量控制常式,所述通量控制常式在所述处理器上运行以监测前驱物流,所述通量控制常式包括:
通量计算处理器,用以:
基于自用以递送前驱物的气体递送系统的胞元接收的所检测光强度的变化而确定前驱物通量值。
2.根据权利要求1所述的设备,所述通量计算处理器通过以下方式来确定所述前驱物通量值:
接收在所述胞元中在第一场合处产生的第一参考信号,所述第一参考信号指示检测器在所述第一场合处的检测器效能,所述检测器检测来自光源的光强度;
接收在所述第一场合处产生的背景信号,所述背景信号由所述检测器产生;
继所述第一场合后,接收在第二场合处产生的第二参考信号,所述第二参考信号指示所述检测器在所述第二场合处的所述检测器效能;以及
当所述前驱物在所述胞元中流动时,继所述第一场合后,接收在第三场合处产生的前驱物信号。
3.根据权利要求1所述的设备,所述通量计算处理器通过确定在多个场合处的所述前驱物通量值而计算所述前驱物的积分通量。
4.根据权利要求2所述的设备,所述通量控制常式还包括温度控制处理器,所述温度控制处理器用以:
基于所述前驱物通量值确定警示带状况;以及
基于所述警示带状况调整安瓿的温度。
5.根据权利要求4所述的设备,所述温度控制处理器通过以下方式调整所述温度:
确定温度调整ΔT,其中
其中P、I及D为比例增益、积分增益及微分增益,且其中为基于所述安瓿的当前温度界限的误差。
6.根据权利要求4所述的设备,所述温度控制处理器通过以下方式调整所述温度:
基于所述前驱物通量值确定误差值;
基于所述误差值确定温度调整ΔT;
计算待被应用至所述安瓿的一组新的温度设定点;以及
当所述一组新的温度设定点处于一组预定温度界限内时,应用所述一组新的温度设定点来控制所述安瓿的加热。
7.根据权利要求6所述的设备,所述通量控制常式还包括寿命终止处理器,所述寿命终止处理器用以:
当所述一组新的温度设定点不处于所述一组预定温度界限内时,检查安瓿寿命终止状况;
当尚未满足所述安瓿寿命终止状况时,基于最保守的界限重新计算ΔT以产生保守ΔT;以及
基于所述保守ΔT计算待被应用至所述安瓿的所述一组新的温度设定点。
8.根据权利要求1所述的设备,所述通量控制常式还包括偏移处理器,所述偏移处理器用以:
基于所述前驱物通量值确定故障状况;以及
当在所述故障状况期间被处理的基板不是第一基板时,发送偏移的通知信号。
9.根据权利要求1所述的设备,所述通量控制常式还包括阻塞检测处理器,所述阻塞检测处理器用以:
接收所述胞元的胞元压力读数;
接收所述前驱物通量值;以及
基于所述胞元压力读数及所述前驱物通量值确定阻塞位置。
10.一种控制前驱物流的方法,包括:
经由气体递送系统提供前驱物流;
测量所述气体递送系统的胞元中由所述前驱物流导致的所检测光强度的变化;以及
基于所述所检测光强度的变化而确定前驱物通量值。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述胞元设置于含有所述前驱物的安瓿的下游。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





