[发明专利]磁场施加偏置膜以及使用其的磁检测元件及磁检测装置

权利要求书

1.一种磁场施加偏置膜，具备交换耦合膜，该交换耦合膜具有永久磁石层和在所述永久磁石层层叠的反强磁性层，该磁场施加偏置膜的特征在于，

所述反强磁性层具备X(Cr-Mn)层，该X(Cr-Mn)层含有从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素X、以及Mn及Cr，

所述X(Cr-Mn)层具有：距所述永久磁石层相对较近的第1区域、和距所述永久磁石层相对较远的第2区域，

所述第1区域中的Mn含有量高于所述第2区域中的Mn含有量。

2.根据权利要求1所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第1区域与所述永久磁石层相接。

3.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第1区域具有Mn含有量相对于Cr含有量的比即Mn/Cr比是0.3以上的部分。

4.根据权利要求3所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述第1区域具有所述Mn/Cr比为1以上的部分。

5.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层构成为层叠PtCr层、和与所述PtCr层相比距所述永久磁石层近的X⁰Mn层，其中，X⁰是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素。

6.根据权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层构成为PtCr层和PtMn层按该顺序被层叠以使得所述PtMn层距所述永久磁石层近。

7.根据权利要求6所述的磁场施加偏置膜，其中，

与所述PtMn层相比距所述永久磁石层近地进一步层叠IrMn层。

8.一种磁场施加偏置膜，具备交换耦合膜，该交换耦合膜具有永久磁石层和在所述永久磁石层层叠的反强磁性层，其中，

所述反强磁性层具有X¹Cr层和X²Mn层交替地被层叠而得到的三层以上的交替层叠构造，其中，X¹是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素，X²是从由铂族元素以及Ni构成的组中选择的一种或者两种以上的元素且能够与X¹相同或者不同。

9.根据权利要求8所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述X¹是Pt，所述X²是Pt或者Ir。

10.根据权利要求9所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述反强磁性层具有单元层叠部，该单元层叠部层叠多个由X¹Cr层和X²Mn层构成的单元。

11.根据权利要求10所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述单元层叠部中的所述X¹Cr层以及所述X²Mn层分别是相同的膜厚，所述X¹Cr层的膜厚大于所述X²Mn层的膜厚。

12.根据权利要求11所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述X¹Cr层的膜厚与所述X²Mn层的膜厚的比是5∶1～100∶1。

13.一种磁检测元件，具备：磁检测部，其具有包含固定磁性层以及自由磁性层的磁阻效应膜；以及权利要求1或2所述的磁场施加偏置膜，其中，

所述磁场施加偏置膜被配置于所述磁检测部的周围，以使在未对所述自由磁性层施加外部磁场的状态下的所述自由磁性层的磁化的朝向一致。