[发明专利]光吸收器件及其制造方法以及光电极

权利要求书

1.一种光吸收器件，其特征在于，具有：

光反射层；

电介质层，配置于所述光反射层上；以及

多个金属纳米结构体，配置于所述电介质层上，

所述多个金属纳米结构体中的至少一部分金属纳米结构体是各自的一部分被埋入到所述电介质层内而剩余部分露出到外部的金属纳米结构体，

所述多个金属纳米结构体在照射光时产生局域表面等离子体共振，

所述光反射层和所述电介质层在照射光时作为法布里-珀罗谐振器发挥作用，

所述法布里-珀罗谐振器的谐振波长在所述局域表面等离子体共振的峰波长±该峰的半高全宽的范围内。

2.如权利要求1所述的光吸收器件，其中，

其一部分被埋入到所述电介质层内而剩余部分露出到外部的所述金属纳米结构体的体积相对于与所述电介质层接触的所有金属纳米结构体的总体积的比例为90％以上。

3.一种光电极，其特征在于，

包含权利要求1或2所述的光吸收器件。

4.一种光吸收器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

准备作为光反射层的金属层的工序；

在所述金属层的表面形成第一电介质层的工序；

在所述第一电介质层上形成多个金属纳米结构体的工序；以及

通过原子层沉积法，以不使所述多个金属纳米结构体完全埋入的方式在所述第一电介质层上形成第二电介质层的工序，

所述多个金属纳米结构体以在照射光时产生局域表面等离子体共振的方式形成，

所述光反射层、所述第一电介质层和所述第二电介质层以在照射光时作为如下的法布里-珀罗谐振器发挥作用的方式形成，该法布里-珀罗谐振器是谐振波长在所述局域表面等离子体共振的峰波长±该峰的半高全宽的范围内的法布里-珀罗谐振器。

5.如权利要求4所述的光吸收器件的制造方法，其中，

在形成所述第二电介质层的工序中，不进行向所述多个金属纳米结构体的表面添加羟基的表面处理而通过原子层沉积法在所述第一电介质层上形成第二电介质层。

6.如权利要求5所述的光吸收器件的制造方法，其中，

在形成所述第一电介质层的工序中，在进行向所述金属层的表面添加羟基的表面处理之后，通过原子层沉积法在经过所述表面处理的所述金属层的表面形成第一电介质层。