[发明专利]掩模版增强技术中的设计的建模

说明书

用于掩模版增强技术(RET)的方法包括：将目标晶片图案或所预测晶片图案表示为作为函数样本数组捕获的平滑函数，所述函数样本数组是函数值的数组。提供连续色调掩模(CTM)，其中所述CTM用于产生所预测晶片图案。用于RET的方法还包括：输入目标晶片图案，其中所述目标晶片图案跨越整个设计区域。将所述整个设计区域划分成多个图块，每个图块具有围绕所述图块的光晕区。迭代所述整个设计区域的所提议掩模，直到所提议掩模满足产生所述目标晶片图案的标准为止。每次迭代包括：针对所述多个图块的子集计算所预测晶片图案；以及更新所述图块的所提议掩膜；其中所述子集中的所有图块都在下一迭代之前被计算。

相关申请

本申请要求于2017年12月22日提交并且标题为“MODELING OF A DESIGN INRETICLE ENHANCEMENT TECHNOLOGY”的美国非临时专利申请号15/853,311的权益；所述专利申请出于所有目的以引用的方式并入本文。

背景技术

亚微米制造使用光刻技术在基板上构建材料层以形成晶体管、二极管、发光二极管(LEDS)、电容器、电阻器、电感器、传感器、电线、光缆、微机电系统(MEMS)和共同生产起某一功能的装置的其他元件。基板光刻是一种印刷工艺，其中使用掩模(有时叫做掩模版)将图案转印到基板以形成装置。在诸如集成电路或平板显示器等装置的生产或制造中，可使用基板光刻来制造装置。当要形成的装置是集成电路时，通常基板是硅晶片。在形成集成电路时，光刻是半导体光刻，对于大批量生产通常是基板光刻。其他基板可包括平板显示器、液晶面板显示器、用于平板显示器的掩模、纳米压印母版或其他基板甚至其他掩模。

在半导体光刻中，一个或多个掩模可包含对应于集成电路的多个图案化工艺中的单独层或层的一部分的电路图案。此图案可被成像到基板上已经涂覆有被称为光致抗蚀剂或抗蚀剂的一层辐射敏感材料的特定区域上。一旦图案化层被转印，所述层就可经历各种其他工艺，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化和抛光。这些工艺被采用来精加工基板中的单独层。如果需要若干层，则将重复全工艺或其变型以获得每个新层。最终，基板上将呈现可以是集成电路的多个装置的组合。接着，可通过切割或锯切将这些装置彼此分开，然后可将其安装到单独包装中。

光学光刻可以是具有或不具有浸没的193nm光，或者是极紫外(EUV)或X射线光刻，或任何其他频率的光或其任何组合。

使用193nm光波的光学光刻与折射光学器件和透射光掩模或掩模版一起工作。掩模阻挡、部分地阻挡光波或将光波选择性地透射到基板上，所述基板在光刻工艺期间通常被抗蚀剂涂覆以部分地暴露或暴露基板的不同部分或基板上的某一材料。掩模通常是目标基板尺寸的4倍放大率。

极紫外光刻(EUV)利用反射光学器件使用具有大约13.5nm波长的光。一些实现方式使用变像掩膜，所述变像掩膜在一个维度中具有8倍放大率并且在另一维度中具有4倍放大率。

一般地，更小波长的光能够分辨更精细的几何形状、几何形状之间的更精细空间以及基板上的特征的更高频率(密度)。同样一般地，更小波长的光更加难以可靠地产生和控制。从经济上讲，最好使用能够分辨装置所需的特征大小、空间和频率的最大波长的光。因此，令人感兴趣的是，利用一个或多个任何给定波长的光增强在基板上可实现的分辨率。

对于特定分辨率的任何光刻，诸如离轴照明、相移掩模和多重图案化等另外的技术扩展了分辨能力。当使用多重图案化时，单个基板层被多次暴露，每次暴露使用叫做掩膜层的不同掩模。

掩模由电子束(eBeam)机器形成，所述电子束机器在涂覆表面的光致抗蚀剂处射击电子，接着对其进行处理以在掩模中产生期望开口。递送到掩膜上的光斑的能量的量叫做剂量，按照惯例，在设定为0.0的剂量和设定为1.0的标称剂量下可能没有能量。当剂量超过特定阈值(按照惯例通常在0.5附近)时，将记录图案。临界尺寸(CD)变型除其他项之外与剂量曲线在抗蚀剂阈值处的斜率成反比，所述斜率叫做边缘斜率或剂量裕度。