[发明专利]表面处理剂和表面处理体的制造方法有效
申请号: | 201880083226.9 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN111512418B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 福井由季;奥村雄三;照井贵阳;公文创一 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;C09K3/18;G03F7/32;H01L21/027 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 处理 制造 方法 | ||
1.一种表面处理剂,其是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂,其包含:
(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种;
(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种;以及
(III)有机溶剂,
(R1)a(H)bSi〔N(R2)C(=O)R3〕4-a-b [1]
式[1]中,R1分别相互独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~18的一价烃基,R2分别相互独立地为选自由部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基和氢元素组成的组中的基团,R3分别相互独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基,a为1~3的整数,b为0~2的整数,a与b的总计为1~3,
(R4)c(H)dSi〔OC(=O)R5〕4-c-d [2]
式[2]中,R4分别相互独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~18的一价烃基,R5分别相互独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基,c为1~3的整数,d为0~2的整数,c与d的总计为1~3,
(R6)e(H)fSi〔OC(R7)=NSi(R8)g(H)3-g〕4-e-f [3]
式[3]中,R6和R8分别相互独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~18的一价烃基,R7分别相互独立地为选自由部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基和氢元素组成的组中的基团,e为1~3的整数,f为0~2的整数,g为1~3的整数,e与f的总计为1~3,
式[4]中,R9和R10各自独立地为包含碳元素和/或氮元素且包含氢元素的二价有机基团,碳原子数与氮原子数的总计为1~9,在2以上的情况下,任选存在不构成环的碳元素,
式[5]中,R11为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基、部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为2~6的烯基、部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷氧基、氨基、具有部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基的烷基氨基、具有部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基的二烷基氨基、部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的氨基烷基、硝基、氰基、苯基、苄基或卤素基团,R12、R13和R14各自独立地为部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1~6的烷基或氢基。
2.根据权利要求1所述的表面处理剂,其中,(II)相对于所述(I)~(III)总量的浓度为0.05~10质量%。
3.根据权利要求1所述的表面处理剂,其中,所述(II)在25℃、1个大气压下为液体。
4.根据权利要求1所述的表面处理剂,其中,所述通式[5]的R11是碳原子数为1~4的烷基,R12、R13和R14为氢基。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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