[发明专利]在硅衬底上形成碳化硅的方法

权利要求书

1.一种用于通过以下在硅衬底(1)上形成碳化硅(2)的方法，使所述硅衬底(1)与包括铟和多个碳原子的第一前体(200)反应。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：

-将所述硅衬底(2)装载到反应室(10)中；以及

-使所述硅衬底(2)在所述反应室(10)中经历反应循环，所述反应循环包括以超过温度阈值的温度和以超过分压阈值的分压将所述第一前体(200)供应至所述反应室(10)，从而在所述硅衬底(1)上形成所述碳化硅(2)。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一前体(200)包括铟和含有碳原子的多个有机分子。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一前体(200)包括铟和多个甲基基团。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述使所述硅衬底(1)在所述反应室(10)中经历反应循环还包括将吹扫气体(300)或还原气体(301)或其组合供应至所述反应室(10)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述反应室(10)适于在金属有机化学气相沉积反应器、或分子束外延反应器、或原子层沉积反应器、或化学束外延反应器、或金属有机化合物气相外延反应器反应器中外延生长。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述碳化硅(2)包括碳化硅膜(2)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，当所述碳化硅膜(2)的厚度超过预定厚度阈值时，所述方法还包括以下步骤：将氨(201)和包括铝的第二前体(202)供应至所述反应室(10)，从而在所述碳化硅膜(2)的顶部上生长氮化铝层(3)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述预定厚度阈值包括在碳化硅单层的厚度与3nm的碳化硅之间。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法还包括在所述将所述氨(201)和所述第二前体(202)供应至所述反应室(10)之前，暂停所述将所述第一前体(200)供应至所述反应室(10)。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述方法包括：在将所述氨(201)和所述第二前体(202)供应至所述反应室(10)时，保持以所述超过温度阈值的温度和以所述超过分压阈值的分压将所述第一前体(200)供应至所述反应室(10)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法还包括将硅烷(302)供应至所述反应室(10)。

13.一种半导体结构(100)，包括：

-硅衬底(1)；

-碳化硅(2)，通过使所述硅衬底(1)与包括铟和多个碳原子的第一前体(200)反应形成在所述硅衬底(1)上。

14.根据权利要求13所述的半导体结构(100)，其中，当以超过温度阈值的温度和以超过分压阈值的分压将所述第一前体(200)供应到所述硅衬底(1)上时，形成所述碳化硅(2)；并且其中，所述碳化硅(2)充当用于阻挡III族元素进入所述硅衬底(1)的扩散阻挡层。