[发明专利]乙炔基衍生的复合物、包含其的组合物、通过其制造涂层的方法以及制造包含该涂层的器件的方法在审
申请号: | 201880082279.9 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN111492310A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 中杉茂正;滨祐介;柳田浩志;关藤高志;松浦裕里子 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;C08G8/02;C08G8/30 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘卓然 |
地址: | 德国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 乙炔 衍生 复合物 包含 组合 通过 制造 涂层 方法 以及 器件 | ||
一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明的另一个目的是提供一种涂层,该涂层具有较小的膜收缩性,良好的间隙填充性能和良好的平坦性。本发明提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且,本发明提供了用其制造涂层的方法以及制造器件的方法。
技术领域
本发明涉及乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且,本发明涉及用其制造涂层的方法和制造器件(device)的方法。
背景技术
在器件(例如半导体器件)的制造过程中,通常采用使用光致抗蚀剂(以下简称为“抗蚀剂”)的光刻技术来进行精细处理。精细处理包括以下步骤:在诸如硅晶片的半导体衬底上形成薄光致抗蚀剂层;用与目标器件的图案相对应的掩模图案覆盖该层;通过掩模图案使该层暴露于诸如紫外线的活化光下;使已曝光的层显影以获得光致抗蚀剂图案;使用获得的光致抗蚀剂图案作为保护涂层来蚀刻衬底,从而形成与上述图案相对应的精细凹凸。
由于近年来半导体的高集成度和三维化,需要在经加工以具有精细凹凸图案的衬底上进一步涂覆层并重复加工。
可以将抗蚀剂组合物和其他层组合物以液态形式涂覆在衬底上,并且可以通过辐射、加热等进行固化以获得抗蚀剂涂层和其他涂层。抗蚀剂涂层和其他涂层在这种高精度的环境中进行层压,并且就某些性能(例如成膜、避免与另一层相互混合等)要求高质量。
在这种情况下,研究了用于抗蚀剂下层(underlayer)组合物的具有碳-碳三键的特定化合物,其可以与用作溶剂的PGMEA等一起使用,具有良好的耐溶剂性、耐蚀刻性、耐热性和间隙填充性(专利文献1)。
并且,研究了由双酚或双苯芴与芴缩合的特定的线型酚醛清漆聚合物,由于其在半导体工业中作为硬掩模和电介质材料的潜在应用而被提及(专利文献2)。
[引文清单]
[专利文献]
[专利文献1]JP2016167047A
[专利文献2]US8952121B2
发明内容
[技术问题]
本发明人认为具有耐热性的化合物可用于光刻工艺,例如作为抗蚀剂下层组合物。并且他们认为有用的化合物在长期高温下的情况下例如在逐渐升高的温度下表现出较少的分解和/或较少的重量损失。并且他们认为该化合物可用于制造工艺,气在进行高温烘烤时具有较小的膜厚收缩率。
精细复杂的加工后的衬底(例如,阶梯式衬底)本身可能具有结构(壁、孔等),这些结构不是均匀分布而是不均匀分布(有疏有密)。本发明人认为组合物对于例如半导体制造工艺是理想的,其可以填充在这样的衬底中,并且由该组合物制成的涂层的表面可以被平坦化。当衬底具有致密和稀疏区域时,由于在转化为涂层期间的表面张力和/或收缩,由于在组合物的组分之间会发生相互作用,因此难以对由衬底上的组合物形成的涂层进行平坦化。如上所述,即使当本发明的组合物在具有致密和稀疏区域的衬底上形成涂层时,也可以产生高的平坦度。基于上述概念,本发明人发现了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。作为另一个优点,可以在本发明的那些组合物中减少添加剂。
[解决问题的方法]
乙炔基衍生的复合物包含单元A和单元B,其中
单元A由式(1)表示,
Ar是C6-41芳烃环,
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