[发明专利]用于LED发射器的纳米光子反射器

权利要求书

1. 一种用作发光二极管（LED）的反射器的装置，该装置包括：

第一层，被设计成反射由所述LED发射的横向电（TE）辐射；和

第二层，被设计成阻挡从所述LED发射的横向磁（TM）辐射。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括多个被设计成操作为透明导电氧化物层的ITO层。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述ITO层是IZO层。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层是一维（1D）分布式布拉格反射（DBR）层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层是二维（2D）光子晶体（PhC）。

6. 根据权利要求5所述的装置，其中所述2D PhC包括水平圆柱棒。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层包括材料对。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述材料对包括SiO2和TiO2。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层是三维（3D）PhC。

10. 根据权利要求9所述的装置，其中所述3D PhC包括垂直圆柱棒。

11. 根据权利要求9所述的装置，其中所述3D Phc包括球体。

12. 根据权利要求9所述的装置，其中所述3D PhC包括木桩。

13.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层是双曲超材料（HMM）。

14.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二层由亚波长厚度的交替金属/电介质层形成。

15.根据权利要求1所述的装置，还包括底部金属反射器。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述底部金属反射器不含Ag。

17.根据权利要求15所述的装置，其中所述底部金属反射器充当结合层。

18.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一层和所述第二层是大致相同的厚度。

19.一种用于包括用于发光二极管（LED）的反射器的LED装置，所述装置包括：

半导体层，被形成为Ⅲ/Ⅴ直接带隙半导体以产生辐射；

一维（1D）分布式布拉格反射（DBR）层，被设计成反射由所述半导体层发射的横向电（TE）辐射；和

第二层，被设计成阻挡由所述半导体层发射的横向磁（TM）辐射，所述第二层是二维（2D）光子晶体（PhC）和三维（3D）PhC中的一个；

多个ITO层，被设计成操作为透明导电氧化物层并使表面反射最小化；和

底部金属反射器，其不含Ag，以在限定方向上反射辐射，其中所述底部金属反射器充当结合层。

20.一种在用于包括用于发光二极管（LED）的反射器的LED装置中反射光的方法，所述方法包括：

通过形成为Ⅲ/Ⅴ直接带隙半导体的半导体层产生辐射；

利用一维（1D）分布式布拉格反射（DBR）层反射由所述半导体层发射的横向电（TE）辐射；和

利用第二层阻挡由所述半导体层发射的横向磁（TM）辐射，所述第二层是二维（2D）光子晶体（PhC）和三维（3D）PhC中的一个。