[发明专利]用来准直来自LED的光发射的纳米结构的超材料和超表面

权利要求书

1.一种用于准直发光二极管（LED）输出的设备，所述设备包括：

包括顶表面的LED基板，光从所述顶表面发射；

亚波长散射天线阵列，位于发射光路径内，所述亚波长散射天线阵列被配置为选择LED发射光的散射方向，以提供来自所述设备的准直光输出；和

亚波长散射天线的第二阵列，位于发射光路径内并与所述阵列间隔一距离，所述亚波长散射天线的第二阵列被配置为选择LED发射光的散射方向，以提供来自所述设备的准直光输出。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述阵列垂直于从所述LED发射的光的传播平面。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述阵列位于邻近所述顶表面。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二阵列垂直于从所述LED发射的光的传播平面。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二阵列位于邻近所述顶表面。

6.根据权利要求1所述的设备，还包括嵌入介质，所述阵列位于所述嵌入介质中。

7.根据权利要求1所述的设备，还包括所述第二阵列位于其中的嵌入介质。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述阵列至少部分地位于所述LED基板内。

9.根据权利要求1所述的设备，其中所述阵列位于所述LED基板内。

10.根据权利要求1所述的设备，其中所述阵列与所述顶表面间隔一距离。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二阵列与所述顶表面间隔一距离。

12.根据权利要求1所述的设备，还包括邻近所述顶表面的电介质间隔物，所述电介质间隔物在光传播方向上提供所述阵列与所述顶表面的间隔。

13.根据权利要求8所述的设备，其中所述阵列位于所述电介质间隔物内。

14.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二阵列位于所述电介质间隔物内。

15.根据权利要求10所述的设备，其中所述阵列和所述第二阵列间隔开一距离。

16.一种用于准直发光二极管（LED）的输出的方法，所述方法包括：

从LED基板的顶表面发射光；

使用位于发射光路径内的亚波长散射天线阵列，选择LED发射光的散射方向，以提供来自所述设备的准直光输出；

改变嵌入所述阵列的介质；

改变阵列散射天线的形状和尺寸；以及

改变散射天线阵列的材料。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括使用位于发射光路径内并与所述阵列间隔一距离的亚波长散射天线的第二阵列，进一步选择LED发射光的散射方向，以提供来自所述设备的准直光输出。

18.根据权利要求17所述的方法，还包括改变嵌入所述第二阵列的介质，改变第二阵列散射天线的形状和尺寸，以及改变散射天线的第二阵列的材料。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述第二阵列在光传播方向上与所述阵列间隔一距离。

20. 一种用于准直发光二极管（LED）的输出的设备，所述设备包括：

LED基板，包括顶表面，光从所述顶表面发射，以及

亚波长散射天线阵列，位于发射光路径内，所述亚波长散射天线阵列被配置为选择LED发射光的散射方向，以提供来自所述设备的准直光输出。