[发明专利]铁电组合件及形成铁电组合件的方法

权利要求书

1.一种铁电组合件，其包括：

铁电绝缘材料上方的金属氧化物；所述金属氧化物具有小于或等于约的厚度；及

所述金属氧化物上方的含金属电极。

2.根据权利要求1所述的组合件，其中所述金属氧化物是具有在从约1个单层到约的范围内的厚度的连续层。

3.根据权利要求1所述的组合件，其中所述金属氧化物是不连续膜。

4.根据权利要求1所述的组合件，其是铁电电容器。

5.根据权利要求1所述的组合件，其是铁电隧道结装置。

6.根据权利要求1所述的组合件，其是铁电场效应晶体管。

7.一种电容器，其包括：

第一电极与第二电极之间的铁电绝缘材料；及

所述第二电极的至少一部分与所述铁电绝缘材料之间的金属氧化物；所述金属氧化物具有小于或等于约的厚度。

8.根据权利要求7所述的电容器，其中所述金属氧化物是具有在从约1个单层到约的范围内的厚度的连续层。

9.根据权利要求7所述的电容器，其中所述金属氧化物是不连续膜。

10.根据权利要求7所述的电容器，其中所述电容器由含半导体基底支撑；且其中所述第一电极是底部电极且所述第二电极是顶部电极，其中所述底部电极比所述顶部电极更靠近基底。

11.根据权利要求10所述的电容器，其中所述金属氧化物是具有在从约1个单层到约的范围内的厚度的连续层。

12.根据权利要求10所述的电容器，其中所述金属氧化物是不连续膜。

13.根据权利要求10所述的电容器，其中所述金属氧化物由含金属材料构成，所述含金属材料具有延伸穿过其的氧浓度梯度，其中所述氧浓度沿着与所述第二电极的界面最高而沿着与所述第二电极的界面最低。

14.根据权利要求10所述的电容器，其中所述金属氧化物本质上由氧以及钛、铝、钌、铌及钽中的一或多者组成。

15.根据权利要求10所述的电容器，其中所述金属氧化物本质上由氧化钛组成。

16.根据权利要求7所述的电容器，其是存储器阵列内的多个基本上相同的电容器中的一者。

17.一种电容器，其包括：

第一电极与第二电极之间的铁电绝缘材料；及

所述第二电极的至少一部分与所述铁电绝缘材料之间的含金属材料；所述含金属材料具有小于或等于约的厚度；所述含金属材料包含氧以及钛、铝、钌、铌及钽中的一或多者。

18.根据权利要求17所述的电容器，其中所述电容器由含半导体基底支撑；且其中所述第一电极是底部电极且所述第二电极是顶部电极，其中所述底部电极比所述顶部电极更靠近基底。

19.根据权利要求18所述的电容器，其中所述含金属材料包含一或多种氮、碳、硅及锗。

20.根据权利要求18所述的电容器，其中所述含金属材料包含钛及氧。

21.根据权利要求20所述的电容器，其中所述第一电极及所述第二电极包括氮化钛。

22.根据权利要求17所述的电容器，其是存储器阵列内的多个基本上相同的电容器中的一者。