[发明专利]存储级存储系统的磨损均衡方案及其实现方式在审

专利信息
申请号: 201880080692.1 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111868697A 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 胡朝洪 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 存储 存储系统 磨损 均衡 方案 及其 实现 方式
【说明书】:

一种由存储系统实现的对存储器执行磨损均衡的方法,包括:与接收器和所述存储器耦合的处理器根据所述存储器的第一部分的写计数,确定循环移位器偏移;所述存储器根据所述循环移位器偏移,将多个用户位和多个纠错码(error‑correcting code,ECC)位写入所述存储器的第一部分和所述存储器的第二部分。

相关申请案交叉申请

本申请要求于2017年12月12日由Chaohong Hu递交的发明名称为“存储级存储系统的磨损均衡方案及其实现方式(A Wear-Leveling Scheme and Implementation for aStorage Class Memory System)”的第62/597,758号美国临时专利申请案的权益,其全部内容以引用的方式并入本文本中,如全文再现一般。

技术领域

本发明涉及内存管理领域。本发明具体涉及提高存储系统中的存储单元的生命周期。

背景技术

存储系统中的存储单元或物理位置的磨损程度取决于每个单元被编程的频率。如果一个存储单元被编程一次,然后就不再重新进行有效编程,那么该存储单元的磨损程度一般比较低。然而,如果一个存储单元被反复写入和擦除,那么该存储单元的磨损程度一般比较高。在数据存储系统中,如果主机重复使用同一物理地址写入和复写数据,则会造成存储单元的相同物理位置的重复写入和擦除。

发明内容

根据本发明的第一方面,提供了一种存储系统实现的方法。所述方法包括:与存储器耦合的接收器接收用于将多个用户位写入所述存储器的第一部分的写命令,其中,所述写命令包括所述存储器的所述第一部分的所述多个用户位和地址,所述用户位与存储在所述存储器的第二部分的用于对所述多个用户位执行误差检查的多个纠错码(error-correcting code,ECC)位关联;与所述接收器和所述存储器耦合的处理器根据所述存储器的所述第一部分的写计数,确定循环移位器偏移;所述存储器根据所述循环移位器偏移,将所述多个用户位和所述多个ECC位写入所述存储器的所述第一部分和所述存储器的所述第二部分中的多个存储单元。

在第一方面所述方法的第一种实现方式中,所述循环移位器偏移是与存储单元数对应的整数值,通过所述存储单元数将所述存储器的所述第一部分和所述存储器的所述第二部分中的所述多个用户位和所述多个ECC位移位,其中,所述循环移位器偏移等于所述写计数/K,K是所述写计数关联的预定义常数。

在第一方面或第一方面的上述任一实现方式所述方法的第二种实现方式中,所述写计数包括多个写计数位,其中,所述方法还包括:在增加所述写计数之后,且在将所述多个用户位和所述多个ECC位写入所述多个存储单元之前,所述处理器对所述写计数的所述多个写计数位进行平衡格雷码(balanced gray code,BGC)编码。

在第一方面或第一方面的上述任一实现方式所述方法的第三种实现方式中,所述循环移位器偏移是与所述存储单元数对应的整数值,通过所述存储单元数将所述存储器的所述第一部分和所述存储器的所述第二部分中的所述多个用户位和所述多个ECC位移位,其中,所述多个用户位和所述多个ECC位以逻辑方式连续存储在各自用于存储单个位的多个存储单元中,且将所述多个用户位和所述多个ECC位写入所述多个存储单元包括:通过所述循环移位器偏移将用于将每个所述多个用户位和所述多个ECC位存储到所述多个存储单元中的一个存储单元的位置移位。

在第一方面或第一方面的上述任一实现方式所述方法的第四种实现方式中,所述循环移位器偏移是与所述存储单元数对应的整数值,通过所述存储单元数将所述存储器的所述第一部分和所述存储器的所述第二部分中的所述多个用户位和所述多个ECC位移位,其中,所述多个用户位和所述多个ECC位以逻辑方式连续存储在各自用于存储单个半字节的多个存储单元中,半字节包括四个位,且将所述多个用户位和所述多个ECC位写入所述多个存储单元包括:通过所述循环移位器偏移将用于将每个所述多个用户位和所述多个ECC位存储到所述多个存储单元中的一个存储单元的位置移位。

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