[发明专利]流体处置结构、光刻设备、以及使用流体处置结构的方法

说明书

本发明提供一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构，所述流体处置结构包括：孔，所述孔在所述流体处置结构中形成以使辐射束经由所述浸没流体行进通过所述孔，所述孔限定将要填充有所述浸没流体的浸没空间；以及内部部分和外部部分；其中所述内部部分和所述外部部分被布置以便在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，其中在第一平面中所述外部部分相对于所述内部部分是可移动的，以便改变所述可变空间而不是所述连接空间的形状，并且其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含所述浸没流体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月15日递交的欧洲申请17207820.6的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本发明涉及一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构、包括所述流体处置结构的光刻设备、以及使用流体处置结构和光刻设备的方法。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也常常被称作“设计布局”或“设计”)投影至设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过一次性将整个图案曝光至目标部分上来辐射每个目标部分；和所谓的扫描仪，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上经由辐射束来扫描图案的同时平行或反向平行于这种方向来同步地扫描衬底从而辐射每个目标部分。

随着半导体制造工艺继续进步，几十年来，电路元件的尺寸已不断地缩减，而每器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已在稳步地增加，这遵循通常被称作“摩尔定律”的趋势。为了跟得上摩尔定律，半导体行业正追求使得能够产生越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定被图案化在衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型的波长为365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。

可以通过在曝光期间在衬底上提供具有相对高折射率的浸没流体(诸如水)来实现较小特征的分辨率的进一步提高。浸没流体的效应是使得能够对较小特征进行成像，这是因为曝光辐射在流体中相比于在气体中将具有更短的波长。浸没流体的效应也可以被视为增加系统的有效数值孔径(NA)并且也增加焦深。

浸没流体可以通过流体处置结构而被限制至光刻设备的投影系统与衬底之间的局部区域。衬底与受限浸没液体之间的快速相对移动可能使浸没流体从局部区域泄漏。这种泄漏是不期望的并且可能引起衬底上的缺陷。衬底相对于投影系统步进或扫描的速度因此有限。这限制了光刻设备的生产量。

发明内容

本发明的目标是提供一种流体处置结构和一种进行测量以提高生产量的光刻设备。

在本发明的实施例中，提供一种被配置成将浸没流体限制至光刻设备的区域的流体处置结构，所述流体处置结构包括：孔，所述孔形成在所述流体处置结构中以使辐射束经由浸没流体从所述孔中通过，所述孔限定待填充有浸没流体的浸没空间；以及内部部分和外部部分；其中所述内部部分和所述外部部分被布置为在所述内部部分与所述外部部分之间形成可变空间和连接空间，所述连接空间将所述可变空间连接至所述浸没空间，其中所述外部部分可以在第一平面中相对于所述内部部分移动，以便改变所述可变空间的形状而非所述连接空间的形状，并且其中所述流体处置结构被配置成在所述可变空间中包含所述浸没流体。

在本发明的另一实施例中，提供一种光刻设备，所述光刻设备包括：所述流体处置结构；投影系统，所述投影系统包括最终元件，所述流体处置结构的所述内部部分相对于所述最终元件是固定的；和衬底支撑件，所述衬底支撑件被配置成支撑衬底，所述衬底支撑件可以在所述第一平面中相对于所述最终元件移动。