[发明专利]用于有机电致发光器件中的取代芳族胺

说明书

本申请涉及一种特定的芴衍生物，其在电子器件中的用途，以及一种包含所述芴衍生物的电子器件。此外，本申请涉及一种制备此类芴化合物的方法，和包含一种或多种所述芴化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子以及制剂或组合物。

本申请涉及一种下文定义的式(I)的芴化合物；其在电子器件，特别是有机电致发光器件比如有机发光器件(OLED)中的用途；和一种包含式(I)化合物的电子器件。此外，本申请涉及一种制备所述化合物的方法，和包含一种或多种所述化合物的低聚物、聚合物或树枝状大分子以及制剂或组合物。

在本申请的上下文中，电子器件应理解为是指所谓的“有机电子器件”，其含有有机半导体材料作为功能材料。更特别地，这些器件被理解为是指有机电致发光(EL)器件，尤其是有机发光二极管(OLED)。

有机电致发光器件的一般结构和操作模式是本领域技术人员已知的，并且例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中进行了描述。一般来说，有机电致发光器件含有被一个或多个包含有机化合物的层分隔的间隔开的电极，所述一个或多个层形成所谓的有机发光结构并响应在电极上施加的电势差而发出电磁辐射，通常是光。

在电子器件中，尤其是在如OLED的EL器件中，人们非常关注改善性能数据，尤其是寿命、效率和工作电压。在这些方面，还没有找到任何完全令人满意的解决方案。

具有空穴传输功能的层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层以及发光层，对电子器件的性能数据具有很大的影响。为了在这些层中使用，一直在寻找具有空穴传输性质的新材料。

在本发明的过程中，已经发现以下芴化合物或衍生物非常适合用作具有空穴传输功能的材料，特别是用作空穴传输层、电子阻挡层和发光层的材料，更特别地用于电子阻挡层的材料，所述芴化合物或衍生物在芴基本结构的2-位具有胺或桥连的胺基，并且在5、6和8-位中的一个或多个位置，优选在5-位具有选自特定化学基团的另外的取代基。在上下文中，电子阻挡层应理解为是在阳极侧上与发光层直接相邻的层，其用于阻挡存在于发光层中的电子进入EL器件的空穴传输层。

当用于电子器件中时，特别是用于如OLED的EL器件中时，它们在器件的寿命、工作电压和量子效率方面可带来优异的结果。所述化合物还具有非常好的空穴传导性质、非常好的电子阻挡性质、高的玻璃化转变温度、高的氧化稳定性、良好的溶解性、高的热稳定性和低的升华温度。

因此，本申请涉及一种式(I)化合物，

其中变量定义如下：

Z¹在每次出现时相同或不同地选自CR¹、CR²和N；

Z²在每次出现时相同或不同地选自CR²和N；

Ar^L选自具有6至40个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R⁴取代，和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R⁴取代；

Ar¹、Ar²相同或不同地选自具有6至40个芳族环原子的芳族环系，其可以被一个或多个基团R⁴取代；和具有5至40个芳族环原子的杂芳族环系，其可以被一个或多个基团R⁴取代；

E是单键或选自以下的二价基团：-C(R⁴)₂-、-N(R⁴)-、-O-和-S-；