[发明专利]保护膜形成用复合片及其制造方法在审
| 申请号： | 201880079841.2 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111466014A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 佐伯尚哉;古野健太 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 及其 制造 方法 | ||
1.一种保护膜形成用复合片，其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片，并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，
所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面，
从所述保护膜形成用复合片的5处裁切试验片，并分别对这5片试验片的所述保护膜形成用膜与所述支撑片的非贴合区域的层间距离进行测定时，所述层间距离为0.5μm以下。
2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘着剂层与所述基材的凹凸面直接接触。
3.根据权利要求1或2所述的保护膜形成用复合片，其中，对于所述试验片，在所述试验片的截面的宽度方向上的中心部1mm的区域观察所述保护膜形成用膜与所述支撑片的非贴合区域的个数时，各试验片中的个数的合计为5个以下。
4.一种权利要求1所述的保护膜形成用复合片的制造方法，其包括：
准备依次具备基材、粘着剂层及第一剥离膜，且所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面的第一层叠片，及依次具备第三剥离膜、保护膜形成用膜及第二剥离膜的层叠膜的工序；
将所述第一层叠片及所述层叠膜中的任意一者或两者在53～75℃下保存24～720小时的工序；
将所述第一剥离膜及第二剥离膜去除，贴合所述粘着剂层的露出面与所述保护膜形成用膜的露出面，制造依次具备所述基材、所述粘着剂层、所述保护膜形成用膜及所述第三剥离膜的第二层叠片的工序；及
将所述第二层叠片在53～75℃下保存24～720小时的工序，
贴合所述粘着剂层的露出面与所述保护膜形成用膜的露出面的工序在53～75℃下、以0.3～0.8MPa的压力边按压边进行。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述第一层叠片、所述层叠膜及所述第二层叠片分别为长条的层叠片或层叠膜，并在所述保存工序中，卷取成辊状而进行保存。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
