[发明专利]电压对比量测标记在审
| 申请号: | 201880079555.6 | 申请日: | 2018-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN111448519A | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
| 发明(设计)人: | C·E·塔贝里;S·H·C·范戈尔普;S·P·S·哈斯廷斯;B·彼得森 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 比量 标记 | ||
1.一种测量标记,包括:
显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合,所述第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征;以及
显影在邻近所述第一层的第二层中的第二测试结构集合,所述第二测试结构集合中的每个第二测试结构包括由第二导电材料制成的多个第二特征,
其中所述测量标记被配置为:当使用电压对比成像方法而被成像时,指示所述第一测试结构集合与所述第二测试结构集合中的相关联的第二测试结构之间的连接性。
2.根据权利要求1所述的测量标记,其中当所述第二测试结构集合中的特定测试结构与所述第一测试结构集合中的特定测试结构形成短路时,所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的所述特定测试结构具有低电荷累积。
3.根据权利要求1所述的测量标记,其中当所述第二测试结构集合中的特定测试结构与所述第一测试结构集合中的特定测试结构处于开路时,所述电压对比图像示出所述第二测试结构集合中的所述特定测试结构具有高电荷累积。
4.根据权利要求1所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的多个测试结构和所述第二测试结构集合中的多个测试结构的组合被配置为表达沿着所述衬底的表面在第一方向上的套刻信息。
5.根据权利要求4所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构被配置为在所述第一方向上具有变化的节距值。
6.根据权利要求4所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构和所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构的所述组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的套刻信息,所述第二方向不同于所述第一方向。
7.根据权利要求6所述的测量标记,其中所述第二方向与所述第一方向正交。
8.根据权利要求4所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构和所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构的所述组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在第二方向上的临界尺寸信息,所述第二方向不同于所述第一方向。
9.根据权利要求4所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构在所述第二方向上具有变化的临界尺寸值。
10.根据权利要求9所述的测量标记,其中所述第二方向与所述第一方向正交。
11.根据权利要求1所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的多个测试结构和所述第二测试结构集合中的多个测试结构的组合还被配置为表达沿着所述衬底的表面在一方向上的临界尺寸信息。
12.根据权利要求11所述的测量标记,其中所述第一测试结构集合中的所述多个测试结构或所述第二测试结构集合中的所述多个测试结构被配置为具有变化的临界尺寸值。
13.根据权利要求1所述的测量标记,还包括:
显影在所述第一层中的第三测试结构集合,所述第三测试结构集合中的每个第三测试结构包括多个第三周期性特征,所述多个第三周期性特征具有由光学量测工具的灵敏度确定的节距;以及
显影在所述第二层中的第四测试结构集合,所述第四测试结构集合中的每个第四测试结构包括多个第四周期性特征,所述多个第四周期性特征具有由所述光学量测工具的灵敏度确定的节距。
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