[发明专利]含碳覆层在保护无源电气构件免受氨侵蚀中的应用和设施

权利要求书

1.含碳覆层在保护无源的电气构件免受氨侵蚀中的一种应用，其中所述含碳覆层是等离子体聚合物的并且包括硅的金属有机覆层，并且，分别借助于XPS测量并且按借助XPS所检测到的原子计，所述含碳覆层在距所述覆层的背离构件的一侧80nm的深度中测量包括2至50原子％的碳份额以及≥10原子%的金属连同硅的份额。

2.根据权利要求1所述的应用，其中按借助于XPS在所述覆层的背离构件的一侧的表面上测量到的总的碳份额计，在所述表面上测量，所述含碳覆层包含用于等离子体聚合物覆层的≤10原子%的碳作为可皂化基团的成分。

3.根据权利要求1或2所述的应用，其中在所述电气构件和所述含碳覆层之间设置有中间层。

4.根据权利要求3所述的应用，其中所述中间层选自陶瓷层。

5.根据权利要求4所述的应用，其中所述中间层基于TiO₂，SiO₂，Al₂O₃，Ti_xN_y或BN。

6.根据权利要求4所述的应用，其中所述中间层是阳极氧化层。

7.根据权利要求1或2所述的应用，其中所述无源的电气构件的表面由铜、铝或包含铜和/或铝的合金构成。

8.根据权利要求1或2所述的应用，其中所述无源的电气构件是线圈、电阻器或电容器。

9.根据权利要求1或2所述的应用，其中所述含碳覆层具有≥2.5％的裂纹伸长率。

10.根据权利要求1或2所述的应用，其中所述含碳覆层具有借助于纳米压痕法待测量的在2至6GPa的范围中的硬度。

11.根据权利要求10所述的应用，其中所述含碳覆层具有借助于纳米压痕法待测量的在3.1至6GPa的范围中的硬度。

12.根据权利要求3所述的应用，其中

按包含在所述覆层中的碳原子、硅原子和氧原子的总数计，通过借助于XPS的测量，在距所述含碳的、等离子体聚合物的覆层的背离所述中间层的一侧80nm的深度中可确定的份额包括：5至40原子％的硅和/或30至70原子%的氧。

13.根据权利要求12所述的应用，其中硅的份额为20至32原子％，和/或氧的份额为40至64原子%。

14.根据权利要求1或2所述的应用，其中所述含碳覆层具有100nm至100μm的厚度。

15.根据权利要求14所述的应用，其中所述含碳覆层具有200nm至50μm的厚度。

16.根据权利要求15所述的应用，其中所述含碳覆层具有500nm至10μm的厚度。

17.根据权利要求3所述的应用，其中所述含碳覆层

- 具有≥2.5％的裂纹伸长率，

- 具有借助于纳米压痕法待测量的在2至6GPa的范围中的硬度，

- 按包含在所述覆层中的碳原子、硅原子和氧原子的总数计，通过借助于XPS的测量，在距所述含碳的、等离子体聚合物的覆层的背离所述中间层的一侧80nm的深度中可确定的份额包括：5至40原子％的硅和/或30至70原子%的氧，并且

- 具有100nm至100μm的厚度。

18.根据权利要求1或2所述的应用，其中在所述电气构件和所述含碳覆层之间设置有中间层，并且其中所述中间层包含交联的和/或未交联的油。