[发明专利]MI元件的制造方法及MI元件

说明书

MI元件1的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线2的外周形成绝缘体层3；无电解镀敷步骤，在绝缘体层3的外周面形成无电解镀敷层4；电解镀敷步骤，在无电解镀敷层4的外周面形成电解镀敷层5；抗蚀剂步骤，在电解镀敷层5的外周面形成抗蚀剂层R；曝光步骤，以激光对抗蚀剂层R进行曝光，而在抗蚀剂层R的外周面形成螺旋状的沟道部GR；以及蚀刻步骤，将抗蚀剂层R作为遮盖材而进行蚀刻，去除沟道部GR中的无电解镀敷层4及电解镀敷层5，从而由残存的无电解镀敷层4及电解镀敷层5形成线圈6。

技术领域

本发明涉及一种MI元件的制造方法及MI元件，详细而言涉及一种使制造MI元件时的设备构成简化的技术。

背景技术

以往，已知有一种磁阻抗(Magneto Impedance，MI)元件，其包括：包含非晶线(Amorphous wire)的感磁体；以及经由绝缘体而卷绕于感磁体的周围的电磁线圈(例如，参照专利文献1)。在所述专利文献中记载如下技术：在绝缘体的外周面对包含铜的金属材料进行真空蒸镀而形成金属膜，之后通过选择蚀刻来形成电磁线圈。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3781056号公报

发明内容

如所述现有技术那样，在形成金属膜时使用真空蒸镀的情况下，难以增加金属膜的膜厚。在MI元件中金属膜的膜厚小的情况下，无法充分确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，有可能MI元件的性能变得不充分。

本发明是鉴于如以上那样的情况而成，本发明所要解决的课题在于提供一种MI元件的制造方法及MI元件：通过将金属膜的膜厚形成得大而确保流经电磁线圈的电流的电流路剖面积，从而可确保性能。

本发明为了解决所述课题，提供以下构成的MI元件的制造方法及MI元件。

本发明的一例的MI元件的制造方法包括：绝缘步骤，在非晶线的外周形成绝缘体层；无电解镀敷步骤，在所述绝缘体层的外周面形成无电解镀敷层；电解镀敷步骤，在所述无电解镀敷层的外周面形成电解镀敷层；抗蚀剂步骤，在所述电解镀敷层的外周面形成抗蚀剂层；曝光步骤，通过以激光对所述抗蚀剂层进行曝光，而在所述抗蚀剂层的外周面形成螺旋状的沟道部；以及蚀刻步骤，将所述抗蚀剂层作为遮盖(masking)材而进行蚀刻，去除所述沟道部中的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层，由此由残存的所述无电解镀敷层及所述电解镀敷层形成线圈。

另外，本发明的一例的MI元件为包括非晶线、形成于所述非晶线的外周的绝缘体层、以及以螺旋状形成于所述绝缘体层的外周面的线圈的MI元件，所述线圈是由无电解镀敷层、与形成于所述无电解镀敷层的外周面的电解镀敷层这两层来形成。

附图说明

图1是表示第一实施方式的MI元件的平面图。

图2是图1中的II-II线剖面图。

图3是图1中的III-III线剖面图。

图4是表示第一实施方式的MI元件的各制造步骤的图。

图5是表示第一实施方式的MI元件的表面部分的放大剖面图。

图6是表示第二实施方式的MI元件的平面图。

图7是图6中的VII-VII线剖面图。

图8是表示第二实施方式的MI元件的各制造步骤的图。

具体实施方式

＜MI元件1(第一实施方式)＞