[发明专利]聚合物、有机层组成物及形成图案的方法

说明书

本公开是有关于一种聚合物、包含所述聚合物的有机膜组成物以及使用所述有机膜组成物形成图案的方法，其中所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或3表示的结构单元。化学式1至3的定义与在说明书中的描述相同。[化学式1]；[化学式2]；[化学式3]

技术领域

本公开涉及一种新颖聚合物、包含所述聚合物的有机层组成物以及使用所述有机层组成物形成图案的方法。

背景技术

近来，半导体产业已发展至具有几纳米至几十纳米大小的图案的超细技术。此种超细技术本质上需要有效的微影技术(lithographic techniques)。

典型的微影技术包括：在半导体基板上提供材料层；在上面涂布光致抗蚀剂层；对所述光致抗蚀剂层进行曝光及显影以提供光致抗蚀剂图案；以及使用所述光致抗蚀剂图案作为遮罩对所述材料层进行蚀刻。

当前，根据待形成的图案的小型化，仅通过上述典型的微影技术难以提供具有优异轮廓的精细图案。因此，可在材料层与光致抗蚀剂层之间形成被称为硬遮罩层的层以提供精细图案。

硬遮罩层发挥中间层的作用以通过选择性蚀刻制程而将光致抗蚀剂的精细图案转移至材料层。因此，所述硬遮罩层需要具有例如耐热性及抗蚀刻性等特性以便耐受多重蚀刻制程。

另一方面，近来已提议旋涂(spin-on coating)法替代化学气相沉积(chemicalvapor deposition，CVD)方法来形成硬遮罩层。旋涂法不仅可轻易地执行且亦可改善间隙填充特性及平坦化特性。

应用于旋转涂布方法的硬遮罩组成物一般可包括具有最大化碳含量的树脂，以增大蚀刻选择性。在此种情形中，由于树脂在主要用于半导体的溶剂中因减小的溶解度而不发生溶解，因此硬遮罩组成物可能难以在旋涂法中进行涂布。为了解决此问题，传统上已提议另一种具有更佳可溶性的溶剂，但所述溶剂可能气味不好或使涂布均匀性劣化。此外，当减小碳含量以增大溶解度时，存在降低抗蚀刻性的问题。因此，需要一种有机层组成物材料，所述有机层组成物材料改善存储稳定性，增强溶解度以便使用主要用于半导体制程的溶剂，并且使碳含量最大化。

发明内容

[技术问题]

实施例提供一种新颖的聚合物，所述新颖的聚合物具有改善的抗蚀刻性及层密度，同时确保溶解度及存储稳定性。

另一实施例提供一种包含所述聚合物的有机层组成物。

再一实施例提供一种使用所述有机层组成物形成图案的方法。

[技术方案]

根据实施例，提供一种聚合物，所述聚合物包括由化学式1表示的结构单元、以及由化学式2或化学式3表示的结构单元。

[化学式1]

[化学式2]

[化学式3]

在化学式1至化学式3中，

A为由化学式X表示的部分，

B为经取代或未经取代的C6至C30芳族环基团，

Ar¹及Ar²独立地为经取代或未经取代的苯环或其稠环，

m为介于0至5范围内的整数，且

*为连接点，

[化学式X]

其中，在化学式X中，