[发明专利]树脂掩膜剥离用清洗剂组合物

说明书

本发明提供一种树脂掩膜去除性优异且排水处理负担小的树脂掩膜剥离用清洗剂组合物。本发明在一个方案中涉及一种树脂掩膜剥离用清洗剂组合物，其含有无机碱(成分A)、下述通式(I)所示的表面活性剂(成分B)及水(成分C)，成分B的根据戴维斯法所得的HLB为4.9以上且7.9以下。R¹‑O‑(EO)_n(PO)_m‑H(I)。其中，式(I)中，R¹表示选自碳数8以上且14以下的直链或支链的烷基及碳数8以上且14以下的直链或支链的烯基中的至少1种，EO表示亚乙氧基，n是EO的平均加成摩尔数并且为5以上且12以下的数，PO表示亚丙氧基，m是PO的平均加成摩尔数并且为0以上且4以下的数。

技术领域

本发明涉及树脂掩膜剥离用清洗剂组合物、使用该清洗剂组合物的树脂掩膜的清洗方法及电子部件的制造方法。

背景技术

近年来，对于个人电脑或各种电子装置而言，低耗电化、处理速度的高速化、小型化正在发展，搭载于它们的封装基板等的配线逐年向微细化发展。迄今为止，这种微细配线及支柱或凸块之类的连接端子的形成主要使用金属掩膜法，但由于通用性较低或难以应对配线等的微细化，因而正在向其他新方法转变。

作为新方法之一，已知有使用干膜抗蚀层作为厚膜树脂掩膜来代替金属掩膜的方法。该树脂掩膜最终会被剥离、去除，此时使用碱性剥离用清洗剂。作为这种剥离用清洗剂，例如，专利文献1中公开有一种抗蚀剂用剥离剂组合物，其含有(A)具有1～4个氮原子的胺化合物、(B)分子量为301～5000的非离子性表面活性剂、以及(C)水。

专利文献2中公开有一种半导体装置用清洗液，其含有还原剂及表面活性剂，且pH值为10～14。

专利文献3中公开有一种光致抗蚀剂剂用剥离液，其含有(A)表面活性剂1质量％以上且30质量％以下、(B)防蚀剂0.05质量％以上且10质量％以下、(C)水5质量％以上且60质量％以下、以及(D)水溶性有机溶剂30质量％以上且95质量％以下。

专利文献4中公开有一种抗蚀剂去除用稀释剂组合物，其特征在于：其用于去除涂布在基板上的抗蚀剂膜的边缘部或基板的后表面上形成的无用的膜成分的抗蚀剂，防止装备的腐蚀，其含有：a)无机碱化合物0.1至5重量％、b)有机胺0.1至5重量％、c)有机溶剂0.1至30重量％、d)以1：5至25的重量比含有阴离子系表面活性剂及非离子系表面活性剂的表面活性剂0.01至5重量％、以及e)水60至99重量％。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-311867号公报

专利文献2：日本特开2009-260249号公报

专利文献3：日本特开2008-58624号公报

专利文献4：日本特表2005-509693号公报

发明内容

发明要解决的课题