[发明专利]半导体装置、半导体装置的控制方法以及半导体装置的控制电路有效

专利信息
申请号: 201880078313.5 申请日: 2018-10-29
公开(公告)号: CN111434040B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 竹内悠次郎;堀田裕介;三好智之;森睦宏 申请(专利权)人: 株式会社日立功率半导体
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H01L29/739;H01L29/78;H02M1/08
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 金光华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 控制 方法 以及 控制电路
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

控制信号输入端子;

开关元件,具有第1控制端子以及第2控制端子;

第1延迟部,使所输入的信号延迟第1预定时间;以及

逻辑积部,运算第1输入端子与第2输入端子的逻辑积,

所述控制信号输入端子连接于所述第1延迟部的输入端子以及所述逻辑积部的第2输入端子,

所述第1延迟部的输出端子连接于所述开关元件的第1控制端子以及所述逻辑积部的第1输入端子,

所述逻辑积部的输出端子连接于所述开关元件的第2控制端子。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述第1延迟部所延迟的第1预定时间是3us至60us中的某个时间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,还具有:

下降边缘触发型的单触发脉冲生成部;以及

逻辑非部,将输入信号进行反转后输出,

所述单触发脉冲生成部和所述逻辑非部被串联连接地插入到所述控制信号输入端子与所述逻辑积部的第2输入端子之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

所述单触发脉冲生成部所生成的脉冲的宽度是3us至60us中的某个值。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述半导体装置还具有第2延迟部,该第2延迟部使所输入的信号延迟第2预定时间,

所述第2延迟部被插入到所述第1延迟部的输出端子与所述逻辑积部的第1输入端子之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,

所述第2延迟部所延迟的第2预定时间是0.3us至3us中的某个时间。

7.一种半导体装置的控制方法,其特征在于,

对权利要求1至6中的任意一项所述的半导体装置的所述控制信号输入端子输出作为预定周期的脉冲的信号,并且该作为预定周期的脉冲的信号是断开期间比由所述第1延迟部延迟的所述第1预定时间长的信号。

8.一种半导体装置的控制电路,其特征在于,具有:

控制信号输入端子;

第1延迟部,使所输入的信号延迟第1预定时间;以及

逻辑积部,运算第1输入端子与第2输入端子的逻辑积,

所述控制信号输入端子连接于所述第1延迟部的输入端子以及所述逻辑积部的第2输入端子,

所述第1延迟部的输出端子连接于具有第1控制端子及第2控制端子的开关元件的第1控制端子以及所述逻辑积部的第1输入端子,

所述逻辑积部的输出端子连接于所述开关元件的第2控制端子。

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