[发明专利]NAND装置及其操作方法

权利要求书

1.一种操作NAND装置的方法，所述方法包括：

在NAND控制器处：

检索SLC高速缓存迁移配置文件，所述SLC高速缓存迁移配置文件包含用于起始存储于SLC高速缓存中的数据到MLC存储器单元的迁移的第一规则及第二规则，所述第一规则及所述第二规则包括以下各者中的一者：空闲规则、数据碎片化规则、当前块擦除计数、当前写入放大因子WAF或功耗水平规则，其中所述第一规则不同于所述第二规则；

检索由所述第一规则指定的第一NAND操作条件，且确定所述第一NAND操作条件满足所述第一规则；检索由所述第二规则指定的第二NAND操作条件，且确定所述第二NAND操作条件满足所述第二规则；及

响应于满足所述第一规则及所述第二规则，将存储于所述SLC高速缓存中的数据的至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述SLC高速缓存迁移配置文件包含终止条件，且其中将存储于所述SLC高速缓存中的数据的所述至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元包括：

确定满足所述终止条件，所述终止条件对应于NAND操作条件；及

响应于满足所述终止条件，终止所述迁移，其中所述终止条件不是所述迁移的完成。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述终止条件是电力使用率。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括：

跨主机接口从主机装置接收所述SLC高速缓存迁移配置文件。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括：

基于所述SLC迁移配置文件确定用于所述迁移操作的速率，且其中将存储于所述SLC高速缓存中的数据的所述至少所述部分迁移到所述NAND的MLC存储器单元包括以所述速率将存储于所述SLC高速缓存中的数据的所述至少所述部分迁移到所述NAND的MLC存储器单元。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括：

对存储迁移到MLC存储器单元的数据的SLC存储器单元进行废弃项目收集。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将存储于SLC高速缓存中的数据的至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元包括从所述SLC迁移配置文件确定迁移参数规则。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述迁移参数规则包含取决于所述NAND装置的操作参数确定所述迁移的速度的规则。

9.一种包括指令的机器可读媒体，所述指令在由机器执行时致使所述机器执行包括以下各者的操作：

检索SLC高速缓存迁移配置文件，所述SLC高速缓存迁移配置文件包含用于起始存储于NAND存储器装置的SLC高速缓存中的数据到MLC存储器单元的迁移的第一规则及第二规则，所述第一规则及所述第二规则包括以下各者中的一者：空闲规则、数据碎片化规则、当前块擦除计数、当前写入放大因子WAF或功耗水平规则，其中所述第一规则不同于所述第二规则；

检索由所述第一规则指定的第一NAND操作条件，且确定所述第一NAND操作条件满足所述第一规则；

检索由所述第二规则指定的第二NAND操作条件，且确定所述第二NAND操作条件满足所述第二规则；及

响应于满足所述第一规则及所述第二规则，将存储于所述SLC高速缓存中的数据的至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元。

10.根据权利要求9所述的机器可读媒体，其中所述SLC高速缓存迁移配置文件包含终止条件，且其中将存储于所述SLC高速缓存中的数据的所述至少一部分迁移到所述NAND装置的MLC存储器单元的所述操作包括：

确定满足所述终止条件，所述终止条件对应于NAND操作条件；及

响应于满足所述终止条件，终止所述迁移，其中所述终止条件不是所述迁移的完成。