[发明专利]具有多层囊封剂的半导体装置及相关联系统、装置与方法

说明书

本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包含：衬底，其包含迹线，其中所述迹线突出在所述衬底的顶表面上方；预填充材料，其在所述衬底上方且在所述迹线之间，其中所述预填充材料直接接触所述迹线的外围表面；裸片，其经附接在所述衬底上方；及晶片级底部填充物，其在所述预填充材料与所述裸片之间。

技术领域

本技术涉及半导体装置囊封剂，例如接触金属迹线的底部填充物。

背景技术

半导体装置裸片，其包含存储器芯片、微处理器芯片及成像器芯片，通常包含安装在衬底上且包装在塑料保护罩中的半导体裸片。所述裸片包含例如存储器单元、处理器电路及成像器装置的功能特征，以及电连接到功能特征的接合焊盘。接合焊盘可电连接到保护罩外部的端子以将裸片连接到更高级电路。

形成半导体装置可包含形成衬底102，其中迹线104经暴露在衬底102上。如图1中所说明，可基于移除焊料掩模开口区域中的焊料掩模106来暴露迹线104，由此也暴露衬底顶部的顶表面及迹线104的外围表面。

如图1中进一步说明，单独组装结构可经对准且经附接到衬底102及迹线104，所述单独组装结构包含具有支柱112的裸片110以及囊封支柱112及裸片110上的表面的晶片级底部填充物130。附接工艺可包含使晶片级底部填充物130重整或回流(举例来说，例如通过控制其温度以改变其粘度水平)，晶片级底部填充物130如图1中所说明那样向下行进以填充裸片110与衬底102之间的空间。

如图2中进一步说明，所得半导体装置202(例如，在使晶片级底部填充物130回流且固化晶片级底部填充物130以形成囊封剂之后)可包含填充裸片110与衬底102之间的空间的晶片级底部填充物130。晶片级底部填充物130可进一步囊封迹线104。然而，由于各种因素(例如，晶片级底部填充物130的粘度水平、陷留空气/气体、晶片级底部填充物130的不均匀流动、所述迹线之间的空间)，因此回流工艺可能直接邻近于一些迹线104留下空隙204(例如，其中迹线104的部分未能直接接触晶片级底部填充物130)。迹线104之间的空隙204可能致使迹线104之间的短接及泄漏，从而致使半导体装置202的电故障。

附图说明

图1是根据现存技术的在制造方法中的选定阶段的半导体装置的横截面图。

图2是根据现存技术配置的半导体装置的横截面图。

图3是根据本技术的实施例配置的半导体装置的横截面图。

图4到7是说明根据本技术的实施例的在制造方法中的选定阶段的半导体装置的横截面图。

图8到11是说明根据本技术的实施例的在进一步制造方法中的选定阶段的半导体装置的横截面图。

图12到14是说明根据本技术的实施例的在进一步制造方法中的选定阶段的半导体装置的横截面图。

图15是说明根据本技术的实施例的制造半导体装置的实例方法的流程图。

图16是说明根据本技术的实施例的并入半导体装置的系统的框图。

具体实施方式