[发明专利]使用碳基膜空间选择性灰化改善沉积引起的CD不平衡的方法

权利要求书

1.一种用于利用碳基沉积物在晶片上形成特征的方法，其包括：

对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除；以及

通过原子层沉积工艺沉积氧化硅基材料的氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除，其与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除互补。

2.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述氧化物沉积物导致的所述碳基沉积物中的一些的所述不均匀去除与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除是互补的，因为通过所述沉积所述氧化物沉积物导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除与通过所述预调节导致的所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除的组合导致与通过所述沉积所述氧化物沉积物导致的所述碳基沉积物中的一些的所述不均匀去除相比所述碳基沉积物的更均匀去除。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述更均匀去除是在整个晶片上的更均匀去除。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

去除所述碳基沉积物；以及

使用所述氧化物沉积物作为掩模，蚀刻在氧化物沉积物下方的蚀刻层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预调节所述碳基沉积物包括：

提供包含Ar或氮气中的至少一种和氧气的预调节气体，

将所述预调节气体转化成等离子体，这导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除；以及

停止所述预调节气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述预调节气体包含氧气和氩气，其中，所述氧气比氩气的比例介于2:1至1:2之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预调节去除小于厚度的所述碳基沉积物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沉积所述氧化物沉积物和所述预调节提供在整个所述晶片上的所述碳基沉积物的小于的去除范围。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预调节以圆顶形轮廓去除所述碳基沉积物，并且其中，所述沉积所述氧化物沉积物以碗形轮廓去除所述碳基沉积物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沉积所述氧化物沉积物包括：

提供多个循环的较低能量的氧化物沉积，其中每个循环包括：

使前体气体流动；

使氧化气体流动；

提供第一RF功率以将所述氧化气体转化成等离子体；以及

提供多个循环的较高能量的氧化物沉积，其中每个循环包括：

使前体气体流动；

使氧化气体流动；以及

提供第二RF功率以将所述氧化气体转化成等离子体，其中所述第二RF功率高于所述第一RF功率。

11.根据权利要求1所述的方法，其还包括提供反馈输入或前馈输入中的至少一者以优化所述预调节。

12.一种用于在晶片上利用碳基沉积物形成特征的方法，其包括：

对所述碳基沉积物进行预调节，其中，所述预调节导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除；

通过原子层沉积工艺沉积氧化物沉积物，其中所述沉积所述氧化物沉积物导致所述碳基沉积物中的一些的不均匀去除；以及

提供至少一个额外的工艺，其中所述至少一个额外的工艺完成所述晶片上的特征的形成，其中，所述特征比在不具有预调节的情况下将形成的特征更均匀。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述特征在整个所述晶片上更均匀。

14.根据权利要求12所述的方法，其还包括：

去除所述碳基沉积物；以及

使用所述氧化物沉积物作为掩模，蚀刻在氧化物沉积物下方的蚀刻层。