[发明专利]缺陷测定装置、缺陷测定方法以及检查探头

权利要求书

1.一种缺陷测定装置，检查磁性体构件的缺陷，其特征在于，

所述缺陷测定装置包含检查探头以及计算部，

所述检查探头具备：磁铁；在相对于所述磁铁而与所述磁性体构件相反的一侧配置的磁轭；和在所述磁轭和所述磁性体构件之间配置，并对在由所述磁铁、所述磁轭以及所述磁性体构件形成的磁路中流过的磁通密度进行检测的磁传感器；

所述计算部根据所述磁传感器的输出来计算所述磁性体构件的缺陷的深度，

所述磁轭具有隔着所述磁铁而与所述磁性体构件对置的第1对置面、和隔着所述磁传感器而与所述磁性体构件对置的第2对置面，

所述第2对置面位于比所述第1对置面更靠所述磁性体构件侧的位置。

2.根据权利要求1所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述磁传感器被配置在：随着所述磁性体构件的缺陷的深度变大而所述磁通密度增加的所述磁路上的位置。

3.根据权利要求1或2所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述检查探头被插入到大致圆筒状的所述磁性体构件的内部，

所述磁轭包含：具有与所述磁性体构件的内表面大致平行的所述第1对置面的小直径部；和具有与该内表面大致平行的所述第2对置面的大直径部，

所述小直径部和所述大直径部沿着所述磁性体构件的轴方向而连接。

4.根据权利要求3所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述轴方向上的所述大直径部的长度是所述磁性体构件的外径的0.25倍以上。

5.根据权利要求3或4所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述大直径部的外径是所述磁性体构件的外径的0.51倍以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的缺陷测定装置，其特征在于，

所述磁传感器被配置在相距所述磁铁的端部5.5mm以下的范围内。

7.一种缺陷测定方法，检查磁性体构件的缺陷，其特征在于，

使用权利要求1至6中任一项所述的缺陷测定装置，检查所述磁性体构件的缺陷。

8.一种检查探头，用于检查磁性体构件的缺陷，其特征在于，

所述检查探头具备：磁铁；在相对于所述磁铁而与所述磁性体构件相反的一侧配置的磁轭；和在所述磁轭和所述磁性体构件之间配置，并对在由所述磁铁、所述磁轭以及所述磁性体构件形成的磁路中流过的磁通密度进行检测的磁传感器，

所述磁轭具有：隔着所述磁铁而与所述磁性体构件对置的第1对置面；和隔着所述磁传感器而与所述磁性体构件对置的第2对置面，

所述第2对置面位于比所述第1对置面更靠所述磁性体构件侧的位置。