[发明专利]电路、该电路上实施的芯片卡的电子模块以及这种电路的实施方法

权利要求书

1.一种用于实施芯片卡模块的电路，所述电路包括基板(4)和至少一个导电轨道(6)，所述导电轨道(6)至少部分地由可见的且由铑合金构成的表面层(13)覆盖，所述表面层通过电解沉积沉积在所述导电轨道(6)上，其特征在于，所述铑合金的层(13)的厚度在10纳米与150纳米之间，并且，所述铑合金中的铑的重量浓度大于或等于50％，并且，所述铑合金沉积在至少一个屏障层上，在所述铑合金的表面层通过电解沉积进行沉积之前，所述屏障层沉积在所述导电轨道(6)上，并且，所述屏障层包括以下列表中的元素中的至少一种元素：纯镍、镍磷合金和钴钨合金。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述铑合金包括钌。

3.根据权利要求1或2所述的电路，所述电路包括搭接层(12)，所述搭接层沉积在所述屏障层上且在所述铑合金的表面层下方，并且所述搭接层(12)包括以下列表中所包括的金属中的至少一种金属或至少一种金属合金：铑、钌、钯、银和金。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，所述搭接层(12)的厚度小于或等于15纳米。

5.一种芯片卡的电子模块，所述电子模块包括根据权利要求1所述的电路，所述电路具有基板(4)和至少一个导电轨道(6)，所述至少一个导电轨道形成配置用于与芯片电气连接的触头区(8)，其中，所述导电轨道(6)至少部分地由铑合金的层(13)覆盖，所述合金中的铑的重量浓度大于50％，所述铑合金的层(13)电解沉积在屏障层上，在所述铑合金的表面层通过电解沉积进行沉积之前，所述屏障层沉积在所述导电轨道(6)上，并且，所述屏障层包括以下列表中的元素中的至少一种元素：纯镍、镍磷合金和钴钨合金。

6.一种用于实施芯片卡模块的电路的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

-提供基板(4)，

-在所述基板(4)上实施导电轨道(6)，所述导电轨道(6)至少部分地由可见的且由铑合金构成的表面层(13)覆盖，所述表面层通过电解沉积沉积在所述导电轨道(6)上，

其特征在于，所述铑合金的层(13)的厚度在10纳米与150纳米之间，并且，所述铑合金中的铑的重量浓度大于或等于50％，并且，在屏障层(11)上至少部分地实施所述铑合金的层(13)的电解沉积，所述屏障层包括由纯镍、镍磷合金和钴钨合金构成的列表中的材料中的至少一种材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述铑合金的表面层通过电解沉积进行沉积之前，搭接层(12)沉积在所述屏障层上，所述搭接层(12)包括以下列表中所包括的金属中的至少一种金属或至少一种金属合金：铑、钌、钯、银和金。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述导电轨道包括在所述铑合金的表面层通过电解沉积进行沉积之前通过光刻和蚀刻实施的一组触头。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述导电轨道通过使导电连接栅共层压在所述基板(4)上来实施。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，进行使所述基板的与上面实施有所述导电轨道(6)的面相反的面至少部分地被遮蔽。