[发明专利]光子倍增材料

权利要求书

1.一种光子倍增材料，包含发光材料，所述发光材料具有附接在其上的能够单线态裂变的有机半导体分子，其中所述有机半导体分子通过连接基团被化学地附接至所述发光材料，并且其中所述连接基团和所述发光材料的带隙被选择成使得由附接的有机半导体分子中的单线态裂变所形成的激子三线态能够被能量转移到所述发光材料中。

2.根据权利要求1所述的材料，其中所述连接基团提供所述附接的有机半导体分子中的一个或更多个在所述量子点的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。

3.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接单个有机半导体分子，使得所述量子点上的相邻半导体分子在彼此的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。

4.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接两个半导体分子，使得每个半导体分子在另一个半导体分子的2.0nm或更小、优选地1.0nm或更小、并且更优选地0.5nm或更小内。

5.根据权利要求2所述的材料，其中所述连接基团附接半导体分子，所述半导体分子本身通过另外的连接基团被附接至第二半导体分子。

6.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述连接基团包含羧基(-CO₂-)部分、硫代羧基(-CSO-或-COS-)部分、酰胺基(-NHO-或-NRO-)部分、脒基(-NHN-或-NRN-)部分、硫代氨基甲酰基(-CSN-)部分、硫基(-S-)部分和磷脂酰(-PO₃-)部分中的一个或更多个。

7.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述连接基团包括乙炔、烯烃、噻吩、呋喃、吡咯、对亚苯基或低聚(对亚苯基)、对亚苯基亚乙炔基和对亚苯基亚乙烯基。

8.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述有机半导体分子是小分子、二聚体、低聚物、均聚物、共聚物、树枝状聚合物或有机金属络合物。

9.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述有机半导体分子包括并苯、苝、萘嵌苯、二酮吡咯并吡咯、芴、类胡萝卜素或苯并呋喃中的一种或更多种。

10.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述半导体分子具有在1.4eV至4.0eV、优选地2.0eV至3.0eV、并且更优选地2.3eV至2.6eV的范围内的带隙。

11.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述发光材料包括有机过渡金属磷光化合物、热延迟的荧光有机化合物、无机半导体纳米颗粒、2D半导体或钙钛矿材料。

12.根据任一前述权利要求所述的材料，其中所述发光材料是胶态纳米晶体，例如量子点。

13.根据权利要求12所述的材料，其中所述量子点具有核结构，所述核结构包括CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、HgCdTe、CdTe、CZTS、ZnS、CuInS₂、CuInSe_xS_2-x、CuGaS₂、AgInSe₂、CuInGaSe、CuInGaS、硅、InAs、InP、InSb、SnS₂、CuS、锗和Fe₂S₃中的一种或更多种。

14.根据权利要求12或权利要求13所述的材料，其中所述量子点具有50nm或更小、优选地20nm或更小、优选地10nm或更小、并且更优选地5nm或更小的直径。