[发明专利]隧穿场效应晶体管在审
| 申请号： | 201880076199.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112292762A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 加藤公彦;高木信一;竹中充;田畑仁;松井裕章 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 桑传标 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
第一导电型的第一半导体层；
第二导电型的第二半导体层，其在第一区域中与所述第一半导体层实现异质结；
栅极绝缘层，其在所述第一区域中覆盖所述第二半导体层；
栅极电极层，其覆盖所述栅极绝缘层；
第一电极层，其与所述第一半导体层电连接；
第二电极层，其与所述第二半导体层电连接；
第一绝缘层，其在所述第二电极层侧与所述第一区域相邻的第二区域中被夹在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。
2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层和所述第二半导体层是具有通过所述异质结来形成II型能带结构的能带结构的材料。
3.根据权利要求2所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第二半导体层是导带下端的能量位于所述第一半导体层的带隙内的材料。
4.根据权利要求3所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第二半导体层是由带隙比所述第一半导体层的带隙大的材料形成。
5.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层是p型半导体，
所述第二半导体层是n型半导体。
6.根据权利要求5所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层是IV族半导体，
所述第二半导体层是II-VI族半导体。
7.根据权利要求5所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层是IV族半导体，
所述第二半导体层含有金属氧化物。
8.根据权利要求7所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层含有Si。
9.根据权利要求7所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层含有Si和Ge。
10.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层是n型半导体，
所述第二半导体层是p型半导体。
11.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第二半导体层的介电常数比所述第一半导体层的介电常数低。
12.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述栅极绝缘层和所述栅极电极层通过从所述第一区域延伸到所述第二区域的方式来配置。
13.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第二区域在所述第一电极层侧与所述第一区域相邻。
14.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第二区域包围所述第一区域。
15.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
在实现所述异质结的部分中，在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，配置有其成分含有所述第一半导体层的接合绝缘层。
16.根据权利要求15所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，
所述第一半导体层是p型半导体，
所述第二半导体层是n型半导体，
所述接合绝缘层含有所述第一半导体层的氧化物。
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